8.2.12.5-8 关断过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
8.2.12.5 关断过程，0
8.2.12.6 关断过程，t4
8.2.12.7 关断过程，t5
8.2.12.8 关断过程，t>t6
8.2.12 MOSFET 瞬态响应
8.2 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
第８章 单极型功率开关器件
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- SiC
-
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 1021
-
6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 800
-
6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-27 1192
-
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 835
-
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 1120
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1134
-
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 948
-
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1567
-
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 794
-
8.1.4 比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-20 1041
-
6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1212
-
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 1053
-
6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1094
-
8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-21 747
-
5.2.3 扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 840
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
