登录
8.1.5 增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
深圳市致知行科技有限公司
2022-02-20
453
我要咨询
深圳市致知行科技有限公司
363 内容
22w+阅读
47粉丝
+关注
描述
8.1.5 增强型和耗尽型工作模式
8.1 结型场效应晶体管(JFET)
第8章 单极型功率开关器件
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
打开APP阅读更多精彩内容
点击阅读全文
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
相关推荐
SiC
8.2.1 MOS静电学回顾∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-22
558
7.3.4 电流-电压关系∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-14
908
6.5 总结∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-27
996
6.4.1.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
919
8.2.2 分裂准费米能级的MOS静电学∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-23
561
6.1.3 p
型
区的离子注入∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
725
6.1.1 选择性掺杂
技术
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-06
721
7.1.1 阻断电压∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-07
667
6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
548
6.4.2.1
基本原理
∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-24
1207
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2021-12-31
638
8.1.4 比通态电阻∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-20
848
6.4.2.2 n
型
SiC的欧姆接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-25
849
8.1.6 功率JFET
器件
的实现∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-02-21
613
6.4.2.3 p
型
SiC的欧姆接触∈《
碳化硅
技术
基本原理
——
生长
、
表征
、
器件
和应用》
2022-01-26
759
全部
0
条评论
快来发表一下你的评论吧 !
发送
登录/注册
×
20
完善资料,
赚取积分