5.3.1.2 杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
描述
5.3.1.2 杂质
5.3.1 SiC中的主要深能级缺陷
5.3 SiC中的点缺陷
第５章 碳化硅的缺陷及表征技术
《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
- 相关推荐
- SiC
-
6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-21 1043
-
6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 810
-
6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-27 1215
-
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 855
-
6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-04 1146
-
6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1144
-
6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 970
-
6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-24 1610
-
6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 805
-
6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1226
-
6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-25 1077
-
6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2021-12-31 1114
-
8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-02-21 765
-
5.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 733
-
5.3.2 载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2022-01-06 799
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
