国芯思辰｜1200V碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆变器设计

太阳能光伏逆变器可以实现直流电到交流电的转换，是所有光伏发电系统中最关键的部分。典型的太阳能发电框图如下图所示，主要由三部分组成，MPPT、直流滤波、DC-AC逆变并网。

 

太阳能逆变器框图

 

为了获得高发电量，逆变器效率的提高必不可少，在三相光伏逆变器上的升压部分通常会放置一颗1200V的SiC MOSFET来替代普通的1200V的SI器件，相比具有相同额定值的1200V硅器件，基本半导体碳化硅MOSFET系列的能效更高，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。即便在高温（150°C）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。

 

基本半导体碳化硅MOSFET B1M080120HC，该器件符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。

 

碳化硅MOSFET B1M080120HC具有超低导通电阻(RDS(ON))，分别仅为80mΩ，可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他碳化硅MOSFET。同时还兼具高工作电压和超高切换速度。碳化硅MOSFET B1M080120HC可以和WOLFSPEED的C2M0080120D、罗姆的SCT2080KE、英飞凌的IMW120R090M1H、ST的SCT30N120、安森美的NTHL080N120SC1实现pin to pin替换。

 

1200V碳化硅MOSFET B1M080120HC的功能与特色如下：

•专为高频、高效应用优化

•极低栅极电荷和输出电容

•低栅极电阻，适用于高频开关

•在各种温度条件下保持常闭状态

•超低导通电阻

 

 

 

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