TEM小室在电磁兼容测试中的应用

 

从2018年开始，电动车、车联网等ADAS的普及速度加快，尤其在自驾车的带动下，半导体的封装技术愈来愈先进，但新的封装方式也让车用零件可靠度方面有了更多的挑战。

我司最新推出的TEM小室可以用来测量来自被测件EUT或集成电路PCB的辐射敏感度和传导抗扰度的试验，其频率可以达到8GHz。其驻波比可以到达1.3，传输衰减比小于0.3dB。

源于被测件EUT的发射场通过小室的发射模进行耦合，并以此在室的一个端口耦合到一个电压。用TEM小室进行辐射骚扰测量的优点：由于它是在一个屏蔽室内进行的，因此把可能感应到的环境电压降到了极低的水平，一般地讲也就是测量设备的本底噪声，TEM小室的两端呈锥形向通用的同轴器件过渡，一头连接同轴线到测试接收机，另一头连接匹配负载，如下图所示。

TEM小室的外导体顶端有一个方形开口用于安装测试电路板。其中,集成电路的一侧安装在小室内侧，互连线和外围电路的一侧向外。这样做使测到的辐射发射主要来源于被测的IC芯片。受测芯片产生的高频电流在互连导线上流动,那些焊接引脚、封装连线就充当了辐射发射天线。

 

当测试频率低于TEM小室的一阶高次模频率时，只有主模TEM模传输，此时TEM小室端口的测试电压与骚扰源的发射大小有较好的定量关系，因此,可用此电压值来评定集成电路芯片的辐射发射大小。

用TEM小室的测试方法是：为了保证重复性，环境温度保持于18℃～28℃；测试环境的背景电磁噪声至少低于最低极限线值6dB；在测试之前，集成电路应使用适当的程序加载并处于稳定状态；待测集成电路的供电特性应符合集成电路制造商要求。

用TEM小室的测试步骤：
 
第一步：按测试布置进行环境温度及背景电磁噪声测试，此时待IC不上电；
 
第二步：待测IC上电，并进行功能测试，需要对IC的软件加载，并一直到其处于稳定状态；
 
第三步：对待测IC进行辐射发射测量；
 
第四步：将待测IC与测试夹具旋转90º，重复第三步测试，直至四个可能的方向均完成辐射发射测量。

      深圳市华瑞高电子技术有限公司，是一家专业致力于为客户提供优质且性价比高的电磁兼容抗扰度校准装置，屏蔽效能测试系统和谐波闪烁分析测试系统的研发生产性企业。