窄迹晶圆的特性
在晶圆切割环节中,经常遇到的较窄迹道(street)晶圆,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内。虽然目前有激光切割、等离子切割等方式,理论上可以实现窄迹晶圆的切割,但是考虑到技术成熟度不高、适用产品范围小、设备价格高等方面因素,应用金刚石划片刀仍是最优的选择。这就要求切割设备具备更高的精度和更先进的对准运算,以及厚度尽可能薄、刚性更强的刀片。
当切割窄迹道晶圆时,常见的一种推荐是,选择尽可能最薄的刀片。但是,很薄的刀片是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损,结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。这对刀片品质以及合适的切割方案有较高的要求。
一般对于50~76µm迹道的晶圆推荐厚度为20~30µm的刀片,40~50μm迹道的晶圆推荐厚度为15~20μm的刀片。
案例实录
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测试目的
1、测试切痕宽度
2、测试切割品质
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材料情况
切割产品 | mos晶圆 |
产品尺寸 | 8寸 |
产品厚度 | 200μm |
胶膜类型 | UV膜 |
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工艺参数
切割工艺 | 单刀切透 |
设备型号 | DAD322 |
主轴转速 | 26K rpm |
进刀速度 | 30mm/s |
刀片高度 | CH1:0.055 |
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样刀准备
SSTYE SD-4000-R-50-CBA
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样刀规格
刀片型号 | 4000-R-50 CBA |
金刚石粒度 | 4000# |
结合剂硬度 | R(硬) |
集中度 | 50 |
刀片厚度 | 0.018mm |
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测试结果
1、切痕宽度在21~22.3μm之间,切痕
稳定,符合工艺要求。
2、正面无明显崩边。
刀痕效果 崩边效果
西斯特科技
深圳西斯特科技有限公司 (简称西斯特SST) ,以“让一切磨削加工变得容易”为主旨,倡导磨削系统方法论,2015年金秋创立于深圳,根植于技术创新的精神,屹立于创造价值、追求梦想的企业文化。
基于对应用现场的深度解读、创新性的磨具设计和磨削系统方法论的实际应用,西斯特秉承先进的磨削理念,践行于半导体、消费电子、汽车零部件等行业,提供高端磨具产品以及“切、磨、钻、抛”系统解决方案,在晶圆与封装基板划切、微晶玻璃和功能陶瓷磨削、汽车零部件精密磨削等领域应用广泛。
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