案例分享第八期:窄迹晶圆切割实例

描述

窄迹晶圆的特性

在晶圆切割环节中,经常遇到的较窄迹道(street)晶圆,要求将每一次切割放在迹道中心几微米范围内。虽然目前有激光切割、等离子切割等方式,理论上可以实现窄迹晶圆的切割,但是考虑到技术成熟度不高、适用产品范围小、设备价格高等方面因素,应用金刚石划片刀仍是最优的选择。这就要求切割设备具备更高的精度和更先进的对准运算,以及厚度尽可能薄、刚性更强的刀片。

 

当切割窄迹道晶圆时,常见的一种推荐是,选择尽可能最薄的刀片。但是,很薄的刀片是非常脆弱的,更容易过早破裂和磨损,结果,其寿命期望和工艺稳定性都比较厚的刀片差。这对刀片品质以及合适的切割方案有较高的要求。

 

一般对于50~76µm迹道的晶圆推荐厚度为20~30µm的刀片,40~50μm迹道的晶圆推荐厚度为15~20μm的刀片。

 

案例实录

测试目的

1、测试切痕宽度

2、测试切割品质

晶圆

 

材料情况

切割产品

mos晶圆

产品尺寸

8寸

产品厚度

200μm

胶膜类型

UV膜

 

工艺参数

切割工艺

单刀切透

设备型号

DAD322

主轴转速

26K rpm

进刀速度

30mm/s

刀片高度

CH1:0.055

 

样刀准备

 

SSTYE SD-4000-R-50-CBA

 

样刀规格

晶圆

刀片型号

4000-R-50 CBA

金刚石粒度

4000#

结合剂硬度

R(硬)

集中度

50

刀片厚度

0.018mm

 

测试结果

1、切痕宽度在21~22.3μm之间,切痕

稳定,符合工艺要求。

2、正面无明显崩边。

晶圆晶圆

        刀痕效果                          崩边效果

 

西斯特科技

深圳西斯特科技有限公司 (简称西斯特SST) ,以“让一切磨削加工变得容易”为主旨,倡导磨削系统方法论,2015年金秋创立于深圳,根植于技术创新的精神,屹立于创造价值、追求梦想的企业文化。 

 

基于对应用现场的深度解读、创新性的磨具设计和磨削系统方法论的实际应用,西斯特秉承先进的磨削理念,践行于半导体、消费电子、汽车零部件等行业,提供高端磨具产品以及“切、磨、钻、抛”系统解决方案,在晶圆与封装基板划切、微晶玻璃和功能陶瓷磨削、汽车零部件精密磨削等领域应用广泛。

 

西斯特科技始终以先进的技术、创新的产品、优质服务的理念,引领产业革命,创造无限可能。

 

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