国芯思辰|基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D10065Q用于升压电源模块

描述

在升压电源模块中,会用到肖特基二极管,但常规硅二极管一般耐压低、损耗大。要想实现更高的380V电压,硅二极管就不是很合适了。本文主要提到国产厂家基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q。

 

升压原理的基本电路如下图所示,肖特基二极管应用位置已标注:

国芯思辰

 

B2D10065Q应用于28V升压到380V的升压电路中的主要特点如下:

(1)耐压高

B2D10065Q的反向耐压650V,在380V的直流升压系统中有足够余量应对。

(2)损耗小

B2D10065Q的正向压降为1.29V,在380V时,损耗只有0.34%,进一步提高升压电源模块的效率。

(3)体积小

电源模块一般封装很小,需要的元器件也要尽量小体积,B2D10065QDFN8*8贴片封装,在保证良好散热的情况下,减小体积以及布线面积,保证了电源模块的小型化。

(4)可靠性高

电源模块作为一个系统的“动力之源”,是电子产品最核心的部件,所以对可靠性要求更高。B2D10065Q可以在-55℃~175℃,满足电源模块高温工作环境要求。

(5)兼容性强

B2D10065Q可替代完美英飞凌的IDL10G65C5、意法半导体的STPSC10065DLF以及安森美的FFSM1065A。

 

综上,基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D10065Q,具备耐压高、损耗小、体积小、可靠性高的特点,能够满足28V升压到380V的电源模块设计需要。

 

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