国芯思辰｜基本半导体SiC肖特基二极管助力OBC发展，650V B1D系列可P2P替代Wolfspeed的C3D系列​

采用SiC功率器件可有效提高电动汽车驱动系统，获得更高的击穿电压、更低的开启电阻、更大的热导率；并且能保证在更高温度下可以稳定工作，使电动汽车或混合动力汽车功率转化能耗损失降低20%，对大幅提高电动汽车续航里程具有重要意义。

 

目前车载充电器（OBC）与电机驱动器中可以使用碳化硅肖特基二极管，其中以OBC的应用更为广泛。

 

碳化硅二极管在OBC中的应用场景:

 

OBC典型电气结构由PFC和DC/DC两部分组成，典型拓扑如下图所示:

 

二极管和开关管（IGBT、MOSFET等）是OBC中主要应用的功率半导体器件。如上图所示，OBC的前级PFC电路和后级DC/DC输出电路中会使用到二极管，对于二极管应用而言，二极管会根据应用的开关频率在正向导通和反向截止状态切换。

 

基本半导体碳化硅肖特基二极管在OBC的PFC电路有广泛应用。相比与硅基二极管，基本半导体碳化硅肖特基二极管的最大优势在于反向恢复电流IR可以忽略不计。对于OBC的PFC电路而言，硅基二极管的反向恢复损耗在其整体损耗中占据相当的比重，在PFC电路使用碳化硅肖特基二极管可有效提升PFC电路的效率；碳化硅肖特基二极管的QC和VF两个主要参数相比硅基二极管也具有一定优势，在OBC的后级输出电路中使用碳化硅二极管可以进一步提升输出整流的效率。

 

OBC用基本半导体碳化硅肖特基二极管:

 

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