国芯思辰｜可替换C3D10065A的碳化硅肖特基二极管：基本半导体650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC电源设计

在1KW PFC电源设计中，功率因数校正部分市场上主流的器件方案为Si MOS管：Q1\Q2、续流二极管D1/D2、升压电感L1/L2组成，为后级提供稳定的直流电源。在PFC功率因数校正方面如果对系统效率要求不高的情况下，可使用Si快速恢复二极管（FRD）；然而在一些要求效率更高的场合，如5G通信电源，电摩充电器电源中的运用需要更高的效率。本文重点提到国产基本半导体650V/10A碳化硅肖特基二极管B2D10065K1，应用于1KW充电器PFC电源设计。

PFC功率因数校正电路拓扑框图

 

如图为1KW充电器PFC功率因数校正方案的电路图框，主要包含单相整流、PFC构成，其中续流二极管采用国产厂商基本半导体推出的650V/10A碳化硅肖特基二极管B2D10065K1，该器件采用TO-220封装，极大降低了开关损耗，并联器件中没有热崩溃，同时降低系统对散热片的依赖。

 

基本半导体碳化硅肖特基二极管B2D10065K1应用于1KW电源PFC电路有以下优势：

1、VR为650V，满足AC整流输出电压在300V~400V的运用电压要求，且留2倍余量，能够更好的应对反向电压应力；

2、IF为10A，满足1KW功率使用需求，Qc为29nC。极小的反向恢复电荷，可高速开关，降低开关损耗，有效提高电源系统效率；

3、提高PFC开关管Q1\Q12开关频率，从而减小电感L1、L2的尺寸和成本，提升整体的功率密度和降低系统成本；

4、工作结温和存储温度范围均为-55~175℃，适合工业生产环境温度较高的使用场合；

5、采用TO-220封装，极大降低了开关损耗，降低系统对散热片的依赖；

6、B2D10065K1可替代科锐的C3D10065A、罗姆的SCS210AG、英飞凌的IDH10G65C5、意法半导体STPSC10H065D、安森美的FFSP1065A。

 

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