国民技术作为新晋MCU厂家,除了通用MCU市场,目前面向汽车电子领域,已全面发展全系列车规级MCU、安全芯片、 电池管理芯片等核心器件,并协同合作伙伴为汽车电子行业市场与客户提供车规级芯片及相关解决方案。目前在汽车应用中,包括车身控制、汽车照明、智能座舱、智能电源等领域已有成熟应用案例。 本文,我们将为大家介绍目前为止,国民技术车规MCU在汽车上的应用与对应芯片的技术参数。
技术特点N32A455系列车规MCU芯片采用40nm车规工艺生产,基于ARM Cortex-M4F内核,最高主频144MHz,支持浮点运算和DSP指令,180DMIPS,512KB 嵌入式加密存储Flash,144KB SRAM,集成多达17个高性能模拟器件,18个数字通讯接口,10余种密码算法硬件加速引擎,可用于汽车电子前装及周边配套后装产品。技术信息应用系统:智能座舱、车身系统应用位置:空调系统、门窗座椅控制、汽车照明、电机控制、仪表辅助以及雷达等前装/后装:前装或后装封装形式:LQFP48/LQFP64/LQFP80/LQFP100车规认证:AEC-Q100 Grade 2质量体系认证:ISO 9001:2015应用状态:送样,导入中
N32A455 | ||
技 术 参 数 | 工作电压 | 1.8V~3.6V |
运行主频MHZ(范围) | 144MHZ | |
芯片内核数量 | 1 | |
FLASH容量大小 | 512KB | |
RAM容量大小 | 144KB | |
芯片耐受温度(环境、结) | -40°C~105°C | |
输入输出IO口数量 | 37~80 | |
ADC模块数量 | 4 | |
DMA模块数量 | 2 | |
比较器模块 | 5~7 | |
SPI模块 | 3 | |
IIC模块 | 3~4 | |
CAN模块 | 2 | |
LIN模块 | 7 | |
UART模块(SCI) | 3~4 | |
产品工艺节点 | 40nm | |
密码模块 | AES、DES、SHA、SM1、SM3、SM4、SM7、MD5 |
技术特点N32G455通用MCU芯片采用ARM Cortex-M4F内核,144MHz工作主频,支持浮点运算和DSP指令,180DMIPS,512KB eFlash,144KB SRAM,集成多达17个高性能模拟器件,18个数字通讯接口,10余种密码算法硬件加速引擎,可用于汽车前装、后装及周边。技术信息应用系统:智能座舱、车身系统应用位置:空调系统、门窗座椅控制、汽车照明、电机控制、仪表辅助以及雷达等前装/后装:前装或后装封装形式:LQFP48/LQFP64/LQFP80/LQFP100质量体系认证:ISO 9001:2015应用状态:已量产,已上车
N32G455 | ||
技 术 参 数 | 工作电压 | 1.8V~3.6V |
运行主频MHZ(范围) | 144MHZ | |
芯片内核数量 | 1 | |
FLASH容量大小 | 128KB~512KB | |
RAM容量大小 | 80KB~144KB | |
芯片耐受温度(环境、结) | -40°C~105°C | |
输入输出IO口数量 | 37~80 | |
ADC模块数量 | 4 | |
DMA模块数量 | 2 | |
比较器模块 | 5~7 | |
SPI模块 | 3 | |
IIC模块 | 3~4 | |
CAN模块 | 2 | |
LIN模块 | 3 | |
UART模块(SCI) | 3~4 | |
产品工艺节点 | 40nm | |
密码模块 | AES、DES、SHA、SM1、SM3、SM4、SM7、MD5 |
技术特点N32G452通用MCU芯片采用ARM Cortex-M4F内核,144MHz工作主频,支持浮点运算和DSP指令,180DMIPS,512KB eFlash,144KB SRAM,多达18个数字通讯接口及4个模拟接口,10余种密码算法硬件加速引擎,可用于汽车前装、后装及周边。技术信息应用系统:智能座舱、车身系统应用位置:空调系统、门窗座椅控制、汽车照明、电机控制、仪表辅助以及雷达等前装/后装:前装或后装封装形式:LQFP48/TQFP48/WLCSP49/LQFP64/LQFP80/LQFP100/LQFP128质量体系认证:ISO 9001:2015应用状态:已量产,已上车技术参数
N32G452 | ||
技 术 参 数 | 工作电压 | 1.8V~3.6V |
运行主频MHZ(范围) | 144MHZ | |
芯片内核数量 | 1 | |
FLASH容量大小 | 128KB~512KB | |
RAM容量大小 | 80KB~144KB | |
芯片耐受温度(环境、结) | -40°C~105°C | |
输入输出IO口数量 | 37~97 | |
ADC模块数量 | 2 | |
DMA模块数量 | 2 | |
比较器模块 | 0 | |
SPI模块 | 3 | |
IIC模块 | 3~4 | |
CAN模块 | 2 | |
LIN模块 | 3 | |
UART模块(SCI) | 3~4 | |
产品工艺节点 | 40nm | |
密码模块 | AES、DES、SHA、SM1、SM3、SM4、SM7、MD5 |
技术特点N32G435通用MCU芯片采用ARM Cortex M4F核,108MHz主频,支持浮点运算和DSP指令,128KB eFlash,32KB SRAM,内置1个12bit 5Msps ADC,2路OPAMP,2个高速COMP,1个1Msps 12bit DAC,多路U(S)ART、I2C、SPI、USB、CAN等接口,提供多种内置密码算法硬件加速引擎,支持低功耗管理,待机功耗低至2.5uA @3.3V,动态功耗低至60uA/MHz,可用于汽车前装、后装及周边。技术信息应用系统:智能座舱、车身系统应用位置:电动车电机控制板、汽车大灯、车载报警器、汽车蓄电池检测仪、汽车传感器、EDR前装/后装:前装或后装封装形式:QFN28/LQFP32/LQFP48/LQFP64质量体系认证:ISO 9001:2015应用状态:已量产,已上车
N32G435 | ||
技 术 参 数 | 工作电压 | 1.8V~3.6V |
运行主频MHZ(范围) | 108MHZ | |
芯片内核数量 | 1 | |
FLASH容量大小 | 64KB~128KB | |
RAM容量大小 | 16KB~32KB | |
芯片耐受温度(环境、结) | -40°C~105°C | |
输入输出IO口数量 | 24~52 | |
ADC模块数量 | 1 | |
DMA模块数量 | 1 | |
比较器模块 | 2 | |
SPI模块 | 1~2 | |
IIC模块 | 2 | |
CAN模块 | 1 | |
LIN模块 | 3 | |
UART模块(SCI) | 2 | |
产品工艺节点 | 40nm | |
密码模块 | AES、DES、SHA、SM1、SM3、SM4、SM7、MD5 |
技术特点N32G430系列采用32-bit ARM Cortex-M4F内核,最高工作主频128MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成高达64KB嵌入式加密Flash,16KB SRAM,集成丰富的高性能模拟器件,内置1个12bit 4.7Msps ADC,3个高速比较器,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、CAN等数字通信接口。可用于汽车前装、后装及周边。技术信息应用系统:车身系统应用位置:汽车照明、仪表辅助以及雷达等前装/后装:前装或后装封装形式:TSSOP20/QFN20/QFN28/QFN32/LQFP32/QFN48/LQFP48质量体系认证:ISO 9001:2015应用状态:已量产,已上车
N32G430 | ||
技 术 参 数 | 工作电压 | 2.4V~3.6V |
运行主频MHZ(范围) | 128MHZ | |
芯片内核数量 | 1 | |
FLASH容量大小 | 32KB~64KB | |
RAM容量大小 | 16KB | |
芯片耐受温度(环境、结) | -40°C~105°C | |
输入输出IO口数量 | 16~40 | |
ADC模块数量 | 1 | |
DMA模块数量 | 2 | |
比较器模块 | 3 | |
SPI模块 | 2 | |
IIC模块 | 2 | |
CAN模块 | 1 | |
LIN模块 | 2 | |
UART模块(SCI) | 1~2 | |
产品工艺节点 | 40nm |
技术特点N32S032车规安全芯片采用ARM Cortex M0内核,主频高达80MHz,320KB eFlash和21KB片内SRAM,内置具有高等级安全特性的硬件算法协处理器,并集成丰富的模拟与数字接口。产品已获得商用密码产品型号证书(二级)、EAL5+证书、NIST FIPS 140-2 CAVP认证等高等级安全认证,并且通过了AEC-Q100 Grade2车规认证。可广泛应用于车载设备、车联网、物联网、金融支付、智能卡、表计、防伪及版权保护等领域。技术信息应用位置:车载系统前装/后装:前装或后装封装形式:QFN48/QFN32/QFN20/SOP8车规认证:AEC-Q100 Grade2安全认证:国密二级/EAL5+/NIST FIPS 140-2 CAV质量体系认证:ISO 9001:2015应用状态:已量产,已上车
N32S032 | ||
技 术 参 数 | 防攻击类别 | 非侵入式/半侵入式/侵入式攻击 |
加密方式 | 对称:AES/DES/3DES/SM1/SM4 非对称:RSA/ECC/SM2/SM9 杂凑:SHA1/224/256/384/512/SM3 | |
SOC | 是 | |
产品工艺节点 | 55nm | |
工作电压 | 1.8V~5.5V | |
运行主频MHZ(范围) | 80MHZ | |
FLASH容量大小 | 320KB | |
RAM容量大小 | 21KB | |
芯片耐受温度(环境、结) | -40°C~85°C | |
输入输出IO口数量 | 30 | |
ADC模块数量 | 1 | |
DAC模块 | 1 | |
DMA模块数量 | 1 | |
比较器模块 | 1 | |
SPI模块 | 2 | |
IIC模块 | 2 | |
UART模块(SCI) | 3 |
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