国芯思辰｜耐压1200V的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充电桩电源模块上，Rds为32mΩ

随着新能源汽车的普及，充电桩也成了日常配套的生活设施。目前市面上充电桩电源模块的转换效率已经可以做到99%，对于车辆快速且高效的充电有很大的意义。然而这对于设计者来说，功率器件的选型尤为重要。

 

本文提到基本半导体的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充电桩电源模块的LLC谐振电路中，可以有效降低热损耗，提高工作效率，同时也可以减小变压器等器件的体积。

 

基本半导体的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充电桩电源模块的电路框图如下：

充电桩电源模块功率段部分框图

 

基本半导体的碳化硅MOSFET B1M032120HK，耐压1200V，Rds 32mΩ，持续电流84A，T0247-4封装，用于充电桩电源模块上有以下优势：

1、Rds 32mΩ，相较于传统的Si MOSFET，导通内阻更低，损耗更小，可以提高系统效率；

2、反向恢复时间典型值仅27nS，开关频率更快，周边器件可以小型化，节省空间；

3、耐压1200V，电流典型值84A，对于目前市面上三相380VAC的电源模块，不管哪个功率段的都适用；

4、TO247-4封装，为功率器件的常用封装，可以与科锐C3M0032120K、罗姆SCT3040KR、英飞凌IMZ120R045M1、安森美NTH4L040N120SC1等众多的品牌器件直接进行兼容替换使用；

5、结温-55℃~+150℃，宽温工作范围，可以满足产品在恶劣环境下的使用，保证性能。

 

另外，基本半导体为国产SIC MOSFET功率器件知名品牌，目前已有很多头部大厂的成功应用案例，设计者可以放心选用。

 

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