碳化硅晶圆划切方案集合

碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在 9.2～9.6之间，化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应，切割划片很有难度。

 

深圳西斯特科技在碳化硅晶圆切割方面积累了丰富的经验，现将部分案例整理如下，供各位朋友参考。更多方案细节欢迎来电来函咨询。

 

 

划切案例一

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材料情况

晶圆规格	6寸
晶圆厚度	0.175mm
划片槽宽度	100um
Die size	3.0*2.54mm

 

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工艺参数

设备型号	TSK-S20
主轴转速	35000rpm
进刀速度	0.8mm/s
刀片高度	0.15/0.05mm

 

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切割方案

推荐刀片	SST 2000-R-70-ECB
切割模式	单刀切断
品质标准	正面离保护线＞10um 背面<50um 侧崩＜芯片厚度1/4
其他	先激光开槽

 

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划切效果

 

 

划切案例二

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材料情况

晶圆规格	4寸
晶圆厚度	0.38mm
划片槽宽度	80um
Die size	4.3*4.3mm

 

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工艺参数

设备型号	DISCO 6340
主轴转速	35000rpm
进刀速度	3mm/s
刀片高度	0.28/0.05mm

 

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切割方案

推荐刀片	SST 3000-R-70 DCB
切割模式	Step
品质标准	正面离保护线10um 背崩<40um
其他	SD3500-N1-50 CD先开槽

 

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划切效果

 

划切案例三

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材料情况

晶圆规格	8寸
晶圆厚度	0.2mm
划片槽宽度	100um
Die size	5.37*4.46mm

 

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工艺参数

设备型号	DISCO 6362
主轴转速	45000/35000rpm
进刀速度	2mm/s
刀片高度	0.2/0.05mm

 

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切割方案

推荐刀片	3500-R-70 CCG 2000-R-50 EGF
切割模式	Step
品质标准	正面离保护线20um 背崩<50um

 

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划切效果