AT32讲堂039 | AT32 MCU SDRAM控制器的使用

描述

 

SDRAM介绍

同步动态随机存储器(SDRAM)特点:

  • 同步:memory工作时需要同步时钟
  • 动态:存储阵列需要不断刷新
  • 随机:自由指定地址读写数据
  • 容量大价格便宜

SDRAM存储结构

SDRAM支持多BANK,通过指定BANK号,行地址,列地址找到目标存储单元。
图1 存储结构mcu

SDRAM信号线

mcu

SDRAM内部框图

如下以W9825G6KH内部框图举例:图2 W9825G6KH框图mcu

  • 1时钟控制
  • 2命令控制
  • 3地址控制
  • 4存储阵列,4个BANK
  • 5数据

SDRAM常用命令表

SDRAM通过信号线上的不同状态来产生各种命令。表1 SDRAM命令表mcu注意:L=Low Level   H=High Level   X=don't CareA10=H表示Precharge all bank,A10=L表示Precharge选择的BANK

  • No-Operation表示选中当前设备,当前没有操作。
  • Bank/Row active在对SDRAM进行读写时,需要先激活对应的bank和行,该命令用于选择一个bank的一行进行激活,以便接下来进行读写访问。
  • Read激活的行有效之后,对列地址进行寻址,读出数据。
  • Write激活的行有效之后,对列地址进行寻址,写入数据。
  • Precharge预充电命令,在某一行上的读写完成之后,关闭现有的行,准备激活新行。
  • Refresh刷新命令,SDRAM需要不断的刷新操作才能保存数据,根据SDRAM设备参数按照固定周期进行刷新。
  • Load Mode Register加载模式寄存器,修改SDRAM设备的功能参数,burst模式,latency等。

图3 mode registermcu

SDRAM Power On Sequence

图4 SDRAM Power On

mcu

 

AT32 SDRAM控制器

SDRAM控制器主要特点如下:
 

  • 同时支持两个SDRAM设备
  • 支持8位/16位数据总线宽度
  • 支持13位行地址,11位列地址(最大可以支持4x16Mx16bit=128MB)
  • 支持4个内部Bank
  • 支持word/half word/byte访问
  • 支持Burst Read,有6x32bit读FIFO缓存
  • SDRAM时钟支持HCLK/2, HCLK/3, HCLK/4
  • 支持低功耗模式(自刷新模式,掉电模式)

地址映射

图5 SDRAM地址映射mcuSDRAM Device1起始地址:0xC0000000SDRAM Device2起始地址:0xD0000000

I/O引脚配置

表2 SDRAM IO引脚列表mcu

使用SDRAM IO引脚初始化如下,可根据具体使用引脚进行修改:

mcu

SDRAM读写时序

  • 写SDRAM时序

mcu

读SDRAM时序

mcu

SDRAM配置

通过配置寄存器SDRAM_CTRLx来设置SDRAM设备的容量,访问方式等,详细信息可参考RM。此寄存器包括如下配置:(W9825G6KH作为示例)

  • 行地址/列地址配置

mcu行地址和列地址根据SDRAM设备地址位数进行配置,如下示例:mcu

数据总线宽度

mcu根据SDRAM设备支持数据总线宽度进行配置,如下示例支持16bit数据宽度:mcu

内部区块个数

mcuSDRAM设备支持内部bank个数:mcu

列地址选通延迟(CAS)

mcuSDRAM设备支持延迟:mcu

写保护配置(WRP)

  • 如果配置了写保护,在写SDRAM设备时会参数Bus error。
  • XMC_SDCLK时钟分频(CLKDIV)
  • BSTR(连续读)
  • RD(读延时)

配置代码例程:

mcu

SDRAM时序参数配置

要正常使用SDRAM设备,需要正确配置此部分的实现参数,此参数可在SDRAM设备的datasheet中找到对应值。

配置寄存器SDRAM_TMx:

  • TMRD(加载模式寄存器到激活延迟)
  • TXSR(退出自刷新延迟)
  • TRAS(自刷新周期)
  • TRC(刷新命令到激活命令延迟)
  • TWR(写命令到预充电命令延迟)
  • TRP(预充电到激活命令延迟)
  • TRCD(行激活到列延迟)

例TRCD:最小18ns,SDRAM时钟144MHz,一个SDRAM时钟大约为7ns,因此TRCD至少要配置为延迟3个SDRAM时钟周期。例TWR:SDRAM设备要求2个SDRAM时钟,因此配置为2

SDRAM设备对时序要求:(W9825G6KH作为示例)

mcu

配置代码例程:

mcu

SDRAM启动序列配置

  • Clock enable时钟使能

mcu

预充电

mcu

设置刷新计数器

mcu

计算方法:counter=(SDRAM resfresh period / number of rows)-20;

刷新速率=64ms/8K=7.8125us;counter=7.8125us*144MHz–20=1105;mcu

自动刷新

mcu

加载模式寄存器

mcu

SDRAM例程

SDRAM Basic此例程配置SDRAM设备之后,对SDRAM设备进行读写操作,并判断读写数据是否正确,包括如下步骤:

  • GPIO初始化
  • SDRAM配置

mcu

SDRAM启动序列

mcu

SDRAM读写访问

mcuSDRAM DMA此例程配置SDRAM设备之后,使用对SDRAM设备进行读写操作,并判断读写数据是否正确,包括如下步骤:

  • GPIO初始化(同SDRAM Basic)
  • SDRAM配置(同SDRAM Basic)
  • SDRAM启动序列(同SDRAM Basic)
  • SDRAN DMA读写

mcu关于雅特力雅特力科技于2016年成立,是一家致力于推动全球市场32位微控制器(MCU)创新趋势的芯片设计公司,专注于ARM Cortex-M4/M0+的32位微控制器研发与创新,全系列采用55nm先进工艺及ARM Cortex-M4高效能或M0+低功耗内核,缔造M4业界最高主频288MHz运算效能,并支持工业级别芯片工作温度范围(-40°~105°)。雅特力目前已累积相当多元的终端产品成功案例:如微型打印机、扫地机、光流无人机、热成像仪、激光雷达、工业缝纫机、伺服驱控、电竞周边市场、断路器、ADAS、T-BOX、数字电源、电动工具等终端设备应用,广泛地覆盖5G、物联网、消费、商务及工控等领域。

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