内置超低导通阻抗的5v3A同步整流ic U7712

内置超低导通阻抗的5v3A同步整流ic U7712

 

友恩半导体*高性能的电源系统设计中，可靠性至关重要。搭配深圳银联宝科技的同步整流ic U7712，可以帮助最大化电源能效，并使系统尽可能紧凑、简单和具性价比。那么今天就带大家了解下这款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开关——5v3A同步整流ic U7712！

 

5v3A同步整流ic U7712内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。U7712集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳位。U7712内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，减低了系统成本。

5v3A同步整流ic U7712主要特性：

&反激拓扑副边同步整流功率开关

&支持“浮地”和“共地”同步整流两种拓扑

&支持断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式(QR)

&<300uA 超低静态电流

&内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电

&内置 40V 功率 MOSFET

&内部集成保护：VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 电压钳位 (>5mA 钳位电流)

&封装信息 SOP-8

 

系统开机以后，5v3A同步整流ic U7712内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.1V 典型值），ic进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于VDD开启电压后（4V典型值），ic开始工作。ic内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。

 

在内部同步整流 MOSFET 开通瞬间，5v3A同步整流ic U7712漏-源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致ic误动作，ic内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在LEB时间（约 1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。

 

对于功率电源领域的发展趋势而言，更高的系统效率以及更高的功率密度已经成为各大公司及其设计人员所要达到的首要目标。使用深圳银联宝科技的开关电源芯片和同步整流ic，有效降低损耗，提升效率。