英利检测:发射机调制质量我们已经学习了EVM和载波泄漏,今天继续学习带内发射:In-band emissions,简称IBE。
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In-band emissions为什么又是调制性能
带有emission的测量项,有这样几种叫法:
Out of band emission,带外发射; unwanted emission,无用发射; Spurious emission,杂散发射。
与IBE不同,这些emission都是发生在带外的,被归类为输出频谱的性能,我们后面还会具体学习这些emission的区别。那么IBE也是一种emission,顾名思义它发生在带内。
首先,我们来搞清楚In-band emissions是如何发生的,如下图所示,在4G或5G的OFDM调制中,由于终端并不一定时时占满整个带宽的RB资源,事实上某个终端也总是不可能占满整个RB资源的,可能只占用整个带宽的极少一部分。所以被分配使用的RB(Active)一旦发出了功率,就会相应的在未分配RB上产生杂波干扰信号,同时也会产生在载波处的泄漏(Leakage)干扰信号,以及在镜像频率处的镜像干扰(Image)信号。
所以In-band emissions,带内发射,根据发射干扰信号产生的频率位置,总共分为三类:General ,IQ Image和Carrier Leakage,如下图所示:
IBE所包含的三个类型的测试项:
Carrier leakage:是在载波附近的IBE; IQ image:是在分配的RB的另一侧相对于载波对称的IBE; General:适用于所有未分配的RB。
那为什么要进行IBE的测试?如果这三种干扰信号泄漏出来,首先载波泄漏的影响,我们在上一篇中已经讨论过了,另外两种干扰,一定会造成其他终端用户(这里其他用户指刚好使用了这些被干扰的RB的UE)的底噪抬升或信噪比的下降,也就是EVM的恶化。
上一篇,我们分析了载波泄漏为什么是调制性能的测试项,而对于In-band emissions,当终端发射机在带内出现了上述一系列的杂波信号后,也同样导致了调制性能的恶化,所以需要进行测量。从范畴上来说,IBE的影响,比载波泄漏更加宽泛。
02
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IBE的测量要求
IBE的测量分为PUSCH和PUCCH。
PUSCH的测试配置如下:
频率:低中高; 带宽:低中高; SCS:最低; 上行调制:DFT-s-OFDM QPSK,CP-OFDM QPSK; 上行RB分配:Inner_1RB_Left,Inner_1RB_Right;
PUCCH的测试配置如下:
频率:低中高; 带宽:低中高; SCS:最低; 下行调制:CP-OFDM QPSK; 下行RB分配:Full RB; PUCCH配置:Format 3 and Format 1,Length in OFDM symbols = 14; 上行RB分配:0,NRB-1;
IBE的测量要求如下表6.4.2.3.5-1:
表格中出现了三种IBE的测量要求,其中General的IBE要求中出现了很多符号,我们来解释一下,有些是复习哈:
这两个参数的定义我们以前学习过,参考下图就知道为什么叫做transmission bandwidth configuration 和 transmission bandwidth了:
所以General的限值要求不是固定的,而是根据配置和功率等计算得出的。
上图是SP9500对IBE的实测结果举例,具体测试的结果是如何计算的,我们下次继续。
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