国芯思辰| 混合IGBT单管BGH75N120HF1用于工商业储能PCS变流器中

NPC（Neutral Point Clamped）三电平拓扑结构是一种应用最为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展，NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个领域，包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。

 

在分时电价完善、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下，工商业储能的经济性明显提升。工商业储能是用户侧储能系统的主要类型之一，可以最大化提升光伏自发自用率，降低工商业业主的电费开支，助力企业节能减排。工商业储能装机有望在政策鼓励、限电刺激、电价改革等利好因素刺激下进入高速增长期，复合增速有望持续飙升。

基本半导体混合碳化硅分立器件BGH75N120HF1将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。BGH75N120HF1将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能、车载充电器、不间断电源、光伏组串逆变器等领域。

BGH75N120HF1电器特征

基本半导体BGH75N120HF1应用优势如下：

1、BGH75N120HF1输出电压1200V，连续直流电流为75A @TC=100°C。

2、BGH75N120HF1工作结温范围-40℃-150℃，存储温度-55℃-150℃。

3、BGH75N120HF1提供TO-247-3封装，符合RoHS标准。

4、BGH75N120HF1大幅降低了IGBT的开关损耗，适用于对功率密度提升有需求和更性价比的电源应用场景。

 

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