新品 | 1200V TRENCHSTOP™ IGBT7 S7

新品

1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7

 

8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封装分立器件，可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列

 

产品型号：

IGQ120N120S7

 IGQ100N120S7

 IGQ75N120S7

 IKQ120N120CS7

 IKQ75N120CS7

 IKZA40N120CS7

 

 

8-120A 1200V的TRENCHSTOP IGBT7 S7，TO-247封装分立器件，配EC7续流二极管。它具有低饱和压降VCEsat，以实现目标应用中非常低的导通损耗。

 

续流二极管EC7是特性非常软的二极管，有助于最大限度地减少开关损耗，从而实现整体的低总损耗。

 

产品特点

非常低饱和压降VCEsat=2V (VGE=15V,Ic nom, Tvj=175◦C)

良好的可控性

软特性优化的全额定电流的续流二极管

对恶劣条件鲁棒性和HV-H3TRB

短路时间为8µs

非常窄的参数分布

最大工作Tj为175°C

 

特性图

动态特性和静态特性

 

应用价值

IGBT的损耗最低，系统效率高，可实现更高的功率输出

更高的功率密度，无需重新设计散热器

可快速、方便地替换上一代T2芯片产品系列

在恶劣的工作条件下，器件可靠性高

易于设计以满足EMI要求高可靠性和耐久性

 

竞争优势

用于工业驱动应用的最佳芯片技术和产品

总损耗较低产品，从8A到120A的额定电流

生产中非常窄的参数分布，以保证英飞凌的质量标准

抗湿度坚固性

英飞凌是功率半导体领域的佼佼者，拥有世界一流的前道和后道能力

世界级的生产、质量和业务连续性支持