G-MRCO-021磁传感器线性和稳定性

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G-MRCO-021传感器线性

G-MRCO-021传感器输出信号的线性取决于实信号振幅与最大输出电压振幅之间的关系。图中显示了与此商数有关的线性偏差（以百分比表示）：

G-MRCO-021
 

G-MRCO-021传感器稳定性

无论是平行还是反平行于外部磁场，磁畴的静磁能都是相同的。也就是说，稳态环境下的磁畴可能在两个方向之间摇摆不定。使用高磁场传感器后，就不会出现此问题，因为α的传递曲线是二次型。但使用G-MRCO-021传感器时，会产生戏剧性效果，因为现在输出信号也发生了变化。

G-MRCO-021
 

正因如此，G-MRCO-021磁阻传感器必须通过外部附加磁场 (Hx) 进行稳定（偏磁），而该外部磁场最好是沿 MR 带条方向（即 X 方向）。该磁场的唯一任务是确定磁畴校准的优先方向。偏磁场必须足够强大，以确保干扰磁场无法转变磁畴。有实证研究发现，偏磁场强度大于2.5 kA/m 左右即可确保传感器保持适当性能。

G-MRCO-021
 

较小的偏磁场

请记住，偏磁场将能改变G-MRCO-021传感器的灵敏度。这从图x和表x中可以看出。

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某些应用中需要高灵敏度。在这种情况下，可在没有偏磁场的情况下工作。为此，G-MRCO-021传感器必须预先处理好：测量前，通过所定义x方向的短磁脉冲对磁化进行翻转（称为预磁化）。为了避免在预磁化和测量之间的时间内发生带条磁化翻转，必须将外部磁场的强度限制为约小于0.5kA/m。

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表 ：灵敏度和建议工作区域。

永磁体和巴伯极传感器

稳定化Hx磁场通常由永磁体产生。G-MRCO-021传感器必须通过永磁体来形成所需的偏磁场。G-MRCO-021都带有内部硬铁氧体磁铁。外部磁场的最大强度只能通过永磁体材料的稳定性进行限制。G-MRCO-021传感器强度超过约 40 kA/m（500 高斯）的干扰磁场可改变永磁体的磁化方向，而且这种改变是不可逆的。这可导致偏移电压发生永久改变，且传感器功能发生损坏。通过将S类型传感器与其他磁体（例如稀土磁体，必须由用户提供）结合使用，可放宽这种限制。

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温度

欧姆电阻和磁阻都来源于导电电子的散射过程。所有散射过程都具有温度依赖性，因此电桥电阻和MR效应R/R也会显示出温度依赖性。温度系数通常与两个温度相关，通过：

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当使用坡莫合金时，电桥电阻和振幅温度系数的值基本相同，但表示符号不同，TCBR≈-TCSV。

因此，用户可以通过使用恒定电流供给来补偿灵敏度的温度依赖性。在这种情况下，电源电压会随着温度和电桥电阻升高而增加。其作用是输出电压增高，从而补偿灵敏度损失。

另一个重要值是偏移的温度系数。该温度系数的形成原因是四个电桥电阻器的温度行为中的细微差别。实际上，可以观察到输出电压偏移，但无法与磁场造成的常规输出信号区分开来。在使用直流信号耦合的应用中，偏移的温度系数将因此能限制测量的准确度。

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坡莫合金是一种非常稳固的材料，在有涂层保护的情况下，可承受高达300°C左右的超高温度。在这种情况下，包装将成为限制因素。