第三代半导体应用市场面临三大痛点，威迈斯IPO上市加速突围

当前，第三代半导体中的碳化硅功率器件，在导通电阻、阻断电压和结电容方面，显著优于传统硅功率器件。因此，碳化硅功率器件取代传统硅基功率器件已成为行业发展趋势。

 

面对当前行业发展新趋势，威迈斯等新能源汽车第三方零部件供应商如及时做出相应布局，将能率先抢占发展高地。

具体来看，不同于普通的硅基半导体功率器件MOSFET，不同品牌之间的第三代半导体功率器件MOSFET的参数差异大，可替代性较差，在实际应用中主要存在以下几个方面的难点：

一是驱动控制敏感。第三代半导体功率器件MOSFET的栅极氧化层由于比传统的硅基更薄，其表面的缺陷更容易造成器件可靠性问题。传统硅基MOSFET驱动电平的设计范围在±30V，对驱动的设计要求较低，而第三代半导体功率器件MOSFET的负向驱动电平普遍要求在-7V以内，驱动电平设计不合理会造成产品失效率大幅增加，进而造成产品质量问题，对应用该类器件的产品的驱动电路参数设计、电路布局设计提出了更高的要求。

二是瞬态热管理难度大。第三代半导体功率器件MOSFET器件采用了更小的晶圆，使得器件的瞬态散热要求更加严苛，传统的热设计和热评估手段无法直接应用到该类器件上，需采用更加高效的散热方式和专门热评估手段，才能确保该类器件的可靠应用。

三是EMC电磁干扰问题更加严重。第三代半导体功率器件MOSFET由于结电容的减少，在降低开关损耗的同时，也带来了更加严重的EMC电磁干扰问题，对应用该类器件的产品的电路布局设计技术、EMC滤波设计技术提出了更高的要求。

针对上述痛点，威迈斯通过针对第三代半导体功率器件出台各项设计规范、测试规范，针对不同品牌的差异采用不同的参数和控制方式，形成了标准设计规范。

其中，在驱动控制敏感方面，威迈斯研究评估不同厂商的第三代半导体器件的参数，通过功率地和驱动地回路独立控制的硬件电路设计解决功率回路中等效串联电感对驱动电压的影响；在瞬态热管理方面，公司通过建立瞬态热仿真模型、晶圆直接温度标定等方法，获得瞬态下的热分布数据，并基于此数据形成系统级的瞬态热管理策略；在EMC设计方面，为实现部件内部开关电磁干扰抑制的系统性优化，公司通过专利保护的EMC滤波器件以及主动EMC抑制技术，优化开关电磁干扰源头，并通过优化高低压布局、高低压屏蔽，实现更优的开关电磁干扰路径控制及耦合串扰抑制。

一系列的布局，使得威迈斯在第三代半导体应用领域中取得了亮眼的成绩。据威迈斯IPO上市招股书披露，公司在11kW车载电源产品及40kW液冷充电桩模块产品，成功应用第三代半导体功率器件MOSFET，并实现量产发货，已于2022年实现销售收入14,579.97万元。

可以预见的是，依托先发优势，威迈斯在第三代半导体应用市场的份额有望继续扩大。