通常在汽车行驶记录仪中,数据一般包括两个部分, 一部分为汽车实时数据 (存放汽车发生事故前后的数据) , 另一部分为汽车历史数据 (存放汽车过去一段时间内的行驶状况) 。汽车实时数据主要是用于分析事故发生的原因和事故的责任。
行车记录仪里一般记录的是两个输入量 (如速度, 刹车) 的状况,其他也有要求存储7个开关量的数据 (转向灯, 车门等) , 也还会记录发动机的温度和其他的一些输入量的状况。由于行驶记录仪的数据是如此重要, 所以对存储器的要求很高。
存储历史数据的存储器大家都比较容易选择,目前大容量的Flash和U盘;但汽车的实时数据的存储器比较难选择,要求掉电后数据能保存,因为发生事故时, 汽车系统可能会没有电源;为了保证实时数据的准确性, 要求输入量的检测周期越短越好。
NVRAM+电池管理:
若将传统存储器EEPROM和FLASH用于行车记录仪,当发生事故系统检测到掉电时,会没有足够的时间和电量存入数据,而且汽车系统的环境比较复杂,所以SRAM+电池的存储方式很不可靠,目前很少有工程师采用这种方案设计。
铁电存储器( FRAM)存储方式:
国产舜铭存储FRAM PB85RS2MC核心技术是铁电晶体材料,这一特殊材料使得PB85RS2MC同时拥有随机存取存储器和非易失性存储器的特性;具有读写速度快(最高100万次)、写入寿命长、写入耗能小等优点。
1、PB85RS2MC最低功耗9微安(待机),工作电压2.7伏至3.6伏,可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。
2、PB85RS2MC容量2M bit,提供SPI接口,工作频率25兆赫兹,并支持40MHz高速读命令。
3、PB85RS2MC工作环境温度范围-40℃至85℃,封装为8引脚SOP封装,符合RoHS;性能兼容MB85RS2MT(富士通)和FM25V20A(赛普拉斯)。
4、PB85RS2MC通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,该芯片不需要电池就可以保持数据。
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