如何区分Info封装与CoWoS封装呢？

       Info封装与CoWoS封装是目前2.5D封装的典型代表，同属于TSMC开发的2.5D封装，那么如何区分 Info封装与CoWoS封装呢？主要从以下方面进行阐述。

 1、定义

       Info全称为Integrated Fan-Out，意为集成式扇出型封装，定义中的重点一为集成，另一方面，此封装必须为扇出型封装。提到Info封装，首先要先说一下FOWLP（Fan-Out Wafer Level package）封装。传统的WLP在切割前进行封装，虽然减小了封装尺寸，但是使I/O数量受到了限制，为了满足I/O数量增多的需求，FOWLP应运而生。FOWLP使用扇出型技术，通过RDL层，将Die表面的触点扩展到Die的投影面积之外，增加了凸点布置的灵活性以及增多了引脚数量。通常情况下的FOWLP封装的特点为尺寸较小，无基板，塑封封装。如下图所示，Info封装在某些方面与FOWLP具有相同的特点，而同时又在其上进行了发展。

图片来源：TSMC Info 封装

       CoWoS全称为Chip on Wafer on Substrte，也就是说，此种封装类型中必须包括Wafer（或与Wafer有相同功能的结构）以及Substrate。

2、Interposer种类

        Interposer在2.5D封装中起着至关重要的作用，不同的Die通过Interposer实现电气互联，具有更快的传输速度。刚刚接触2.5D封装的同学很容易被CoWoS中的“W”误导，产生先入为主的印象，即Interpose=硅中介层。实际上，Interposer主要包含三种类型：整块的硅板、硅桥以及高密度I/O的RDL层。

3、Info封装的种类

        一般而言，Info封装包含三种类型：Info_oS、Info_PoP以及Info_LSI。

       3.1 Info_oS

        Info_oS全称Integrated Fan-out on substrate。此种封装将多个高级逻辑芯片一起封装，并通过RDL层进行互联，由于封装尺寸较大，仅仅使用RDL层无法满足封装的强度要求，因此增加了substrate。

                                 图片来源：   TSMC Info 封装       

     3.2 Info_PoP

     Info_PoP封装全称为Integrated Fan-out Package on Package，是FOWLP与PoP封装的结合体。此种封装将不同类型的芯片在垂直方向上堆叠在一起，下层为FOWLP封装的芯片，上层为DRAM等被动芯片，封装之间通过TIV（Through Info Via）进行电气互联。

图片来源：Chip Industry Maps Heterogeneous Integration - EE Times

     3.3 Info_LSI

     Info_LSI封装全称Integrated Fan-out_Local Silicon Interconnect，此种封装使用硅桥以及RDL层代替整块硅，达到了性能与成本的平衡。

图片来源于网络

  4、CoWoS封装的种类

       4.1 CoWoS-S

       实际上CoWoS封装也分为三种类型，我们通常所说的CoWoS，一般意义上指的是CoWoS-S，这里的S为Silicon，即Interposer为整个硅片，这种CoWoS类型是成本最高的，但在性能上也是最好的。

图片来源：一文读懂CoWoS技术

     4.2 CoWoS-R

     CoWoS-R，这里的R指的是RDL，即封装使用高密度I/O的RDL层作为interposer，CoWoS-R和Info-oS具有相似的结构，从外观上很难进行区分。

图片来源于网络

     4.3 CoWoS-L

     CoWoS-L，这里的L指的是Local的意思，即使用局部的硅桥进行芯片之间的电气互联，硅桥以外的位置使用RDL层或substrate进行代替， CoWoS-L与Info_LSI 具有相似的外观结构。

图片来源于网络

审核编辑：刘清