存储技术
1、DDR
全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory,中文名为:双倍速率同步动态随机存储器,同步是指需要时钟。
寻址的流程是先指定Bank地址,再指定行地址,然后指列地址最终的寻址单元。可以理解为看书,先看那一本(bank group),然后看那一页(bank),选择哪一行(ROW),最后那哪一个字(Column)。
如下表格,这是一个NXN的阵列,B代表Bank地址编号,C代表列地址编号,R代表行地址编号。
如果寻址命令是B1、R2、C6,就能确定地址是图中红格的位置。
2、容量计算
下图是镁光型号MT53E512M32D1ZW-046 WT:B的规格书内容:
bank地址线位宽为3,及bank数目为 2^3=8;
行地址线位宽位16,及A0...A15;
列地址线位宽为10,及A0...A9;
有 2^3 * 2^16 * 2^10 = 2^29= 512Mb;
再乘以数据线(共2个channel,每个channel数据线16bit),则容量为512Mbx16x2=16Gb=2GB;
为什么要乘以数据线,是因为访问一个地址,内存认为是访问16bit的数据。
即计算公式:存储单元数量=行数×列数xBank的数量x数据线
3、小结
在很多内存产品介绍文档中,都会用M×W的方式来表示芯片的容量(或者说是芯片的规格/组织结构)。M是该芯片中存储单元的总数,单位是兆(英文简写M,精确值是1048576,而不是1000000,是1024x1024=1048576),W代表每个存储单元的容量,也就是DDR芯片的位宽(Width),单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位,但用户可以采用除以8的方法换算为字节(Byte)。
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