Atonarp 质谱分析仪应用于沉积和刻蚀 3D NAND 存储器

Aston™ 质谱分析仪应用于沉积和刻蚀 3D NAND 存储器
3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺（如沉积和蚀刻）所需的定量气体分析. 沉积应用中:  实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程; 蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁.

3D NAND 工艺概述

 

工艺步骤

	堆叠沉积: 交替氧化物（蓝色）和氮化物（绿色）薄膜沉积（每个堆叠 >200 对）	通道蚀刻: 沉积硬掩模, 形成开口, 高纵横比通道贯穿所有层（每个晶片>1 万亿个孔）	阶梯蚀刻: 字线的接触焊盘是使用产生阶梯结构的受控蚀刻来创建的.
ASTON 优势	均匀的厚度对电气性能至关重要. Aston™ 质谱分析仪可实现厚度控制, 层定义和化学计量工程.	高纵横比通道孔需要从上到下完整且均匀, 没有弯曲或扭曲. Aston™ 质谱能够在腔内测量蚀刻反应物.	蚀刻轮廓控制精度（埃）. 蚀刻深度能力（微米）. Aston™ 质谱仪通过动态测量化学物质来实现蚀刻
工艺步骤

	狭缝蚀刻: 沉积硬掩模层, 形成硬开口图案, 蚀刻狭缝以分离通道孔列. 这将创建一个存储单元阵列.	字线沉积: 在一些 3D NAND 方案中, 除去氮化物层, 然后使用由内向外的原子层沉积工艺（紫色）创建钨字线.	晶圆上最终 3D NAND 结构的横截面
ASTON优势	Aston™ 质谱仪通过连续测量反应物来实现蚀刻的均匀性和精度.	除去氮化层并填充钨. Aston™ 质谱仪实现了分子水平的控制.

 

来源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM
 

Aston™ 质谱仪优势
ppb 级灵敏度的高速采样
非常适合高纵横比的 3D 结构
耐腐蚀性气体, 坚固紧凑
易于集成到工具平台中
沉积应用中:  实时过程气体监控，以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程
蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁
 

Atonarp  Aston™ 技术参数

 

类型	Impact-300	Impact-300DP	Plasma-200	Plasma-200DP	Plasma-300	Plasma-300DP
型号	AST3007	AST3006	AST3005	AST3004	AST3003	AST3002
质量分离	四级杆
真空系统	分子泵	分子泵 隔膜泵	分子泵	分子泵 隔膜泵	分子泵	分子泵 隔膜泵
检测器	FC /SEM
质量范围	2-285	2-220	2-285
分辨率	0.8±0.2
检测限	0.1 PPM
工作温度	15-35“℃
功率	350 W
重量	15 kg
尺寸	299 x 218 x 331 LxWxH(mm)	400 x 240 x 325 LxWxH(mm)

 

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审核编辑 黄宇