雪崩光电二极管检测器电路将电流限制在1mA并改善瞬态响应

描述

新型高速雪崩光电二极管(APD)探测器需要具有较低电流限值的新型支持电路。本应用笔记使用数字控制APD偏置电源ICMAX1932为这些新型APD检波器设计改进的偏置电路。本电路增强了标准MAX1932应用电路。

为APD检波器设计低电流偏置电路

图1说明了如何使用MAX1932为高速APD检波器设计低电流偏置电源IC。该电路使用电容(CA)和电阻(RA)将超前相移注入反馈环路,与标准MAX1932应用电路相比,具有更好的瞬态响应。超前相移还有助于抵消由R1和C3形成的输出滤波器产生的相位滞后。DA二极管和RB电阻允许占空比在故障消失后软启动,从而改善限流故障的恢复。泄放电阻(RA)放置在检流电阻R1的前面,以提高检流精度。

该电路显示外部电压控制(V控制).对于使用MAX1932的内部DAC和SPI™串行控制接口进行内部控制,将R6连接至DACOUT(U1引脚-6)。

探测器

图1.增强型MAX1932偏置电路提供改进的限流和瞬态响应。添加 DA 和 RB 可改善从电流限制的恢复,而添加 CA 和 RA 可改善瞬态响应。

 

指定 数量 描述
C1 1 1.0μF、6.3V X5R 陶瓷电容。(0603) TDK (C2012X7R2A473K)
CA 1 150pF 100V COG 陶瓷帽。(0805) 松下掀背/两厢车(ECJ-2VC2A151J)
C2 1 0.047μF、100V X7R 陶瓷电容。(0805) TDK (C2012XR2A473K)
C3 1 0.1μF、100V X7R 陶瓷电容。(1206) TDK (C3216X7R2A104K)
C5(可选) 1 0.1μF、16V X7R 陶瓷电容。(0603) 太阳汤殿 (C1608X7R1C104K)
C4 1 0.47μF, 16V X7R (0603) 松下 (ECJ-1VB1E473K)
D1 1 150mA, 100V 肖特基二极管 (SOD123) 二极管公司 BAT56W
1 30V 肖特基二极管中央半导体 CMPSH-3
N1 1 30V、0.065Ω n 沟道 (SOT-23) 仙童 (FDN337N)
RB 1 100Ω,1% 电阻 (0402)
R1 1 1.82kΩ,1% 电阻 (0605)
RA 1 8.25kΩ,1% 电阻 (0402)
R6 1 24.9kΩ,1% 电阻 (0402)
R7 1 80.6kΩ,5% 电阻 (0402)
RC 1 40.2kΩ,1% 电阻 (0805)
R8 1 332kΩ,1% 电阻 (0402)
R5 1 866kΩ,1% 电阻 (0805)
R3、R9、R10 3 1.0MΩ,5% 电阻 (0402)
L1 1 100μH、170mA 电感器隅田 (CMD4D13-101MC)
U1 1 数字控制、精度为0.5%、最安全的APD偏置电源 ADI公司MAX1932ETC (12引脚薄型QFN)

 

审核编辑:郭婷

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