如何使用分立元件构建双向开关？

　　现在，让我们了解如何使用分立元件构建双向开关，以实现预期的双向开关应用。

　　下图显示了使用 P 沟道 MOSFET 的基本 BPS 实现：

　　使用 P 沟道 MOSFET

　　

　　当点“A”为正时，左侧体二极管正向偏置并导通，然后是右侧p-MOSFET，以完成点“B”处的导通。

　　当点“B”为正时，相反的相应分量对传导变得活跃。

　　较低的 N 沟道 MOSFET 通过适当的 ON/OFF 栅极命令控制 BPS 器件的 ON/OFF 状态。

　　电阻器和电容器可保护 BPS 器件免受可能的浪涌电流浪涌的影响。

　　然而，使用P沟道MOSFET从来都不是实现BPS的理想方法，因为它们的RDSon很高。因此，与基于 N 通道的 BPS

设计相比，这些可能需要更大、更昂贵的器件来补偿热量和其他相关的低效率。