三星3纳米良率不超过20% 将重新拟定制程工艺时间节点

　　三星制程工艺时间节点更新，2025年2nm，2027年1.4nm 。

　　三星最新公布的制程工艺技术路线图显示，该公司计划在2025年开始量产2纳米级SF2工艺，以满足客户对高性能处理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3纳米工艺已满足大规模生产的标准。

　　三星虽然公布了自家的 3 纳米制程工艺已经达到了可以批量生产的标准，但因为三星工艺在骁龙 888 和骁龙 8Gen1 两款芯片上的表现并不尽如人意。

　　尽管三星在4纳米和5纳米工艺上仍然有产量问题，但在3纳米工艺上却面临更大的良率问题，因此与Silicon Frontline Technology公司合作，改进晶圆厂前端工艺和芯片性能已成为他们的必需之举。

　　而与目前的4纳米和5纳米工艺相比，3纳米制程工艺在性能和能效比上有较大的提升，但三星3纳米解决方案制程自量产以来，良率不超过20%，这让它们陷入了瓶颈。

　　根据最新的技术路线图，三星计划在2025年推出2纳米级SF2工艺，2027年推出1.4纳米级SF1.4工艺。

　　编辑：黄飞