集成电路的历史发展过程

一、世界集成电路的历史

1947年，John Bardin、Bratton、Shockley在位于美国的Baer实验室发明了晶体管，这是微电子技术发展的第一个里程碑。

1950年，结型晶体管问世。

1951年，场效应晶体管发明

1956年，C S Fuller发明了扩散工艺

1958年，仙童公司的罗伯特·诺伊斯（Robert Noyce）和德义的柯比（Kirby）分别在几个月内发明了集成电路，创造了世界微电子的历史。

1960年：H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺

1962年：美国RCA公司研制的MOS场效应晶体管

1963年：F.M.Wallass和C.T.Sah首次提出了CMOS技术。如今，超过95%的集成电路芯片基于CMOS技术

1964年：英特尔摩尔提出摩尔定律，预测晶体管的集成度将每1个月增加18倍。

1966年：RCA公司研制出CMOS IC，研制出第一个门阵列（50门），为大规模集成电路的发展奠定了坚实的基础，具有里程碑意义。

1979年：英特尔推出5MHz 8088微处理器，随后IBM推出全球首款基于8088的PC

1981年：256Kb DRAM和64KB CMOS SRAM问世

1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256Kb SRAM

1985年：80386微处理器问世，20MHz

1988年：16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅芯片集成35万个晶体管，标志着进入超大规模集成电路（VLSI）阶段。

1989年：1Mb DRAM进入市场

1989年：486个微处理器，25MHz，1微米m，以及后来的50MHz芯片，使用0.8微米M

1992年：64M位随机存取存储器问世

1993年：推出66MHz奔腾处理器，采用0.6微米m工艺

1995年：奔腾Pro，133MHz，采用0.6-0.35M技术;

1997年：300MHz奔腾II问世，采用0.25微米m工艺

1999年：奔腾III问世，450MHz，采用0.25微米m工艺，再采用0.18微米m工艺

2000年：1Gb RAM上市

2000年：奔腾4，1.5GHz，使用0.18 - M工艺

2001年：英特尔宣布在0年下半年采用13.2001 - M工艺。

2003年：奔腾4 E系列，采用90nm技术。

2005年：英特尔酷睿2系列上市65nm技术。

2007年：基于新的45纳米高K工艺的Intel Core 2 E7/E8/E9上市。

2009年：英特尔酷睿I系列推出新纪录，采用32纳米工艺领先，而22纳米技术正在开发下一代。

二、我国集成电路发展史

我国集成电路产业诞生于60年代，经历了三个发展阶段：

1965年-1978年：以支持计算机和军工为目标，以发展逻辑电路为主要产品，初步建立了集成电路工业基础和相关设备、仪器和材料的配套条件。

1978年-1990年：主要进口二手设备，提高集成电路设备水平，在“治理分散无序”的同时，以消费者为支撑点，解决国内彩电集成电路

1990-2000年：围绕908工程和909工程，以CAD为突破口，重点建设北方科技攻关基地和研发基地，服务信息产业，集成电路产业取得新进展。

集成电路产业是集成电路产业链各部分销售的整体市场，其中不仅包括IC市场，还包括IP市场、EDA市场、核芯片代工市场、封装市场，甚至延伸到设备和材料市场。

IC行业不再依赖于CPU和存储器等单一器件的开发。移动互联网、三网融合、多屏交互、智能终端带来多重市场空间，商业模式不断创新，为市场注入新活力。目前，我国集成电路产业具有一定的基础，多年来我国集成电路产业技术创新活力的积累，对电源市场开拓能力的积累，对资源的整合和广阔的市场潜力，为产业在未来5年到10年内实现快速发展，迈向一个新的阶段奠定了基础。