NexGen垂直GaN半导体 预计2023年第三季度全面生产

7月4日，NexGen Power Systems宣布，他们与通用汽车合作的GaN主驱项目已获得美国能源部 (DoE) 的资助。

NexGen是一家开发垂直 GaN器件的企业，据介绍，他们与通用汽车合作的项目旨在使用 NexGen的垂直 GaN半导体来开发电力驱动系统。

该公告涉及的垂直器件包括NexGen 2 月发布的700V 和 1200V样品。

NexGen 的1200V垂直 GaN e-mode Fin-jFET 已成功演示了在 1.4kV 额定电压下 >1 MHz 的开关速度。

自 2022 年中期起，NexGen 的垂直 GaN 半导体将向战略客户和合作伙伴提供有限的样品，预计将于 2023 年第三季度开始全面生产。

NexGen 首席执行官 Shahin Sharifzadeh 表示：“我们很高兴美国能源部的资助让我们有机会与通用汽车这样的领先汽车制造商一起开发基于 GaN 的电力驱动系统。此次合作将帮助我们将垂直氮化镓逆变器驱动系统引入电动汽车市场，并将帮助汽车制造商提高续航里程、减轻重量并提高系统可靠性。”

除了通用汽车外，其他汽车Tier1厂商也在研发车规氮化镓技术：

● 6月13日，采埃孚日本子公司宣布，他们将从2028年起，为电动汽车推出使用GaN和氧化镓制成的功率半导体器件的逆变器，目前采埃孚已在着手研发。

● 6月5日，尼得科（NIDEC）与瑞萨已达成合作，将共同开发搭载SiC/GaN器件的新一代E-Axle系统。预计2024年，尼得科和瑞萨电子将推出第二款X-in-1 PoC，这款款PoC将用GaN来取代DC-DC和OBC的传统功率器件，进一步实现小型化和低成本化。

编辑：黄飞