电源/新能源
01
辐射定性分析方法
麦克斯韦方程组揭示了电场、磁场的来源及关系,并预言了电磁波的存在,奠定了经典电磁场理论。在此基础上,引入“矢量势”的概念,并增加库伦规范和洛仑兹规范限定条件,进而得到小环天线辐射场的磁场和电场强度表达式:
其中,S为环形面积,r为辐射源到辐射测试处的距离,λ为波长,I为环路中的电流大小,Z为波阻抗(常数,120π),θ为辐射方向与测试位置的夹角。
上式可定性指导反激式开关电源的辐射整改:
02
辐射整改案例
案例一 Y电容回路影响
实验结果: 基于PN8386P+PN8306H的5V3.4A充电器,不同Y电容回路,垂直方向辐射相差6dB以上。
原因分析: Y电容将流过变压器的共模电流旁路为差模电流以改善EMI,该回路为辐射干扰源,回路面积越小EMI越好。
基于PN8386P+PN8306H的5V3.4A充电器PCB布线
CY1回路辐射测试结果(CY1=1nF,移除CY2)
CY2回路辐射测试结果(CY2=1nF,移除CY1)
案例二 RCD回路影响
实验结果: 基于PN8235+PN8306H的5V3.4A充电器,不同RCD吸收回路布线,垂直方向辐射相差10dB以上。
原因分析: 主开关管漏极为强干扰源, RCD吸收用以减弱此干扰量,RCD越靠近漏极辐射量则越小。
RCD吸收远离主开关管漏极PCB布线及辐射测试结果
RCD吸收靠近主开关管漏极PCB布线及辐射测试结果
案例三 di/dt影响
实验结果: 基于PN8160M的12V1.5A适配器,不同型号输出整流二极管,垂直方向辐射相差3dB以上。
原因分析: 在电流连续模式下,输出二极管反向恢复特性不同,di/dt引起的辐射能量不同。
基于PN8160M的12V1.5A适配器PCB布线
DO201-AD封装5T100辐射测试结果
TO277封装的10V80辐射测试结果
**案例四 dv/dt影响 **
实验结果: 基于PN8680M的12V1A适配器,主开关管是否并联Cds电容,垂直方向辐射相差3dB以上。
原因分析: Cds可减缓主开关管Vds的dv/dt,减小辐射量。
基于PN8680M的12V1A适配器PCB布线
无Cds电容辐射测试结果
有Cds(33pF)电容辐射测试结果
案例五 输出工模电感影响
实验结果: 基于PN8160H的12V2A适配器,是否带输出共模电感,垂直方向辐射相差6dB以上。
原因分析: 输出共模电感可有效阻碍共模干扰电流通过输出线向外辐射能量。
基于PN8160H的12V2A适配器PCB布线
无输出共模电感辐射测试结果
有输出共模电感辐射测试结果
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