派恩杰半导体650V-1700V碳化硅器件满足车规级要求

6月26-27日，由NE时代主办的2023第三届全球xEV驱动系统技术暨产业大会在上海嘉定如期召开。本次大会围绕“双循环 · 新格局”的主题，重点聚焦国内外新能源汽车行业发展业态。大会吸引了来自新能源汽车电驱动整车厂、驱动系统产业链、相关材料、设备、测试等上下游应用厂商，以及行业机构、科研院校、园区等的近千名嘉宾参与。业界大咖齐聚一堂，就“电驱产业‘双循环，新格局’ ”、“电驱动系统和关键部件技术”、“电机控制和关键器件技术”、“驱动电机新技术和新工艺”等话题展开热烈讨论。

派恩杰半导体受邀并携公司650V-1700V碳化硅器件及功率模块亮相，引起与会技术专家和客户的广泛关注。凭借国际领先的技术水平和卓越的性能表现，赢得业内专家和客户的一致认可和高度赞誉。

HPD 封装SiC模块

派恩杰1200V/400A SiC 模块PAAC12400CM，采用Press-fit技术与驱动板进行连接，使得装配过程更加可靠，派恩杰HPD封装SiC模块最大持续工作电流为400A，采用Pin-Fin结构利用水道进行散热，显著提高功率模块散热效率，提高模块的功率密度。派恩杰HPD模块专门为800V电机驱动系统开发，满足车规级要求。

同时，派恩杰设计专用模块测试评估板对模块进行动态参数设计，通过外部控制信号对模块进行双脉冲测试，驱动能力高达±30A，该评估板可直接压接在HPD封装模块上，板子尺寸为168mm*93mm，六路独立的驱动电源和驱动芯片可以轻松驱动PAAC12400CM。

 

作为一家主营车规级碳化硅功率器件的半导体公司，派恩杰致力于为客户提供稳定可靠的产品，并提供优质的服务。派恩杰的碳化硅MOSFET，除通过AEC-Q101车规级测试认证外，还进行多个内外部测试。

例如SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究，1000h的AC BTI试验Rdson变化率结果显示，派恩杰测试器件的Rdson变化率均小于1%，且不随时间推移变化，性能稳定，几乎达到硅MOSFET可靠性水平。

马拉松性能测试，派恩杰的P3M12080K3产品在栅压条件Vgs = 25V，环境温度175℃的条件下，能够很好地消除SiC材料的失效风险，PPM为个位数，与国际竞品厂商论文及报告中的器件可靠性接近。这也意味着派恩杰产品不仅能通过严苛的车规测试，也可以很好地适用于新能源和光伏等领域。

1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告，在Vgs=-5V，Isd=5A的测试条件下，壳温达到130℃左右，P3M12080K3体二极管经过1000h直流可靠性测试，器件的性能退化均比较小，器件参数变化率远低于20%的失效标准。

展会精彩瞬间

派恩杰半导体始终坚持自主研发，致力于推动碳化硅器件国产替代。截至目前，派恩杰半导体量产产品已在电动汽车、IT设备电源、光伏逆变器、储能系统、工业应用等领域广泛使用，为各个应用领域头部客户持续稳定供货并广受好评。面向未来，派恩杰期待以领先的技术以及对行业的深刻理解为客户带来质量稳定和安全可靠的功率芯片，为实现低碳节能、绿色可持续发展做出贡献。

第三代宽禁带半导体材料前沿技术探讨交流平台，帮助工程师了解SiC/GaN全球技术发展趋势。所有内容都是SiC/GaN功率器件供应商派恩杰半导体创始人黄兴博士和派恩杰工程师原创。

黄兴博士

派恩杰 总裁 &技术总监

美国北卡州立大学博士，师承Dr. B. Jayant Baliga（IEEE终身会员，美国科学院院士，IGBT发明者，奥巴马授予国家技术创新奖章）与Dr. Alex Q. Huang（IEEE Fellow, 发射极关断晶闸管（ETO）的发明者）。10余年碳化硅与氮化镓功率器件经验，在世界顶尖碳化硅实验室参与美国自然科学基金委FREEDM项目、美国能源部Power America项目，曾任职于Qorvo Inc.、联合碳化硅。2018年成立派恩杰半导体，立志于帮助中国建立成熟的功率器件产业链。

派恩杰半导体

成立于2018年9月的第三代半导体功率器件设计和方案商，国际标准委员会JC-70会议的主要成员之一，参与制定宽禁带半导体功率器件国际标准。发布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大规模导入国产新能源整车厂和Tier 1，其余产品广泛用于大数据中心、超级计算与区块链、5G通信基站、储能/充电桩、微型光伏、城际高速铁路和城际轨道交通、家用电器以及特高压、航空航天、工业特种电源、UPS、电机驱动等领域。