跨导放大器温度分析

EDA/IC设计

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描述

对电路设计工程师来说, 采用什么模型参数在很大程度上还取决于能从相应的工艺制造单位得到何种模型参数。

偏置电流

指标分析

偏置电流与功耗、开环增益、GBW与相位裕 度、压摆率、Swing Range、失调、噪声、 工艺corner分析、温度特性分析等

做温度扫描,分析各种温度下增益和失调的变化,红色线表示0℃。温度扫描范围为0~100℃。

不同温度下的直流扫描分析:

偏置电流

不同温度下的交流扫描分析:

偏置电流

用量子力学理论来描述半导体的绝缘体中非“自由”电子能态,为避免对晶格场复杂作用的讨论,引入将晶格场对电子的作用包括在内的有效质量m的概念。这样晶体中的电子的运动状态也可写成F=ma的形式,F指电场力eE。

对于自由电子,m*=me;晶体中的电子,m*与me不同,决定于能态,即电子与晶格的相互作用强度。对于一定结构的材料,晶格场一定,则有效质量有确定的值,可通过实验测定。

有了有效质量的概念,就可以依照自由电子的迁移率μe的求法,计算得到晶格场中的电子迁移率为:

偏置电流

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