​SPECTER器件特性分析

描述

1、不同工艺角和温度对vth的影响

以NMOS管为例,其他管子自行分析

仿真方法:DC仿真 OP分析

公式:OP(“/#” “vth”)(注:#为管子编码);

T=-40℃~125℃;

corner:TT、FF、SS;

W/L:最小工艺尺寸

Vgs=Vds=1.2v&1.8v&2.5v

原理图设置,尺寸为最小尺寸

NMOS管

在计算器中写入公式

OP(“/管子编号” “vth”)

点击齿轮状图标将函数放到ADE中

仿真Ids时替换vth

NMOS管

本设置使用ADE explorer

在design variables中设置变量

变量既可以设置为几个点(点的设置是几个数值之间用空格隔开)也可以设置为一定范围

NMOS管

在Analyses中的Temperature不能够输出一条直线而是一个点,需要在Corners中设置temperature为一变量,再在design variables设置温度变量的范围

NMOS管

工作电压是1.2V

红色为FF

绿色为TT

黄色为SS

NMOS管

工作电压是1.8V

红色为FF

绿色为TT

黄色为SS

NMOS管

工作电压是2.5V

红色为FF

绿色为TT

黄色为SS

NMOS管

2、阈值电压与W/L的比值

仿真方法:

DC仿真

W/L:W固定L最小值10u;L固定W最小值10u

Corner:TT

T:55℃

Vgs=Vds=1.2v&1.8v&2.5v

此图为L与阈值的关系

红色为1.2

黄色为1.8

绿色为2.5

NMOS管

此图为W与阈值的关系

天蓝色为1.2

蓝色为1.8

红色2.5

NMOS管

3、阈值电压与finger的关系

仿真方法:DC仿真

W/L:最小工艺尺寸 Corner:TT T:55℃

Vdd=1.2v&1.8v&2.5v Finger:1~100

Finger值为1~10

红色为1.2

黄色为1.8

绿色为2.5

NMOS管

Finger值为1~100

红色为1.2

黄色为1.8

绿色为2.5

NMOS管

4、Ids与Vgs关系

仿真方法:DC仿真 W/L:最小工艺尺寸 Corner:TT

T:-40℃&55℃&125℃ Vdd:1.2v&1.8v&2.5v Vgs:01.2v&01.8v&0~2.5v

工作电压1.2V

红色为-40

黄色为55

绿色为125

NMOS管

工作电压1.8

红色为-40

黄色为55

绿色为125

NMOS管

工作电压2.5v

红色为-40

黄色为55

绿色为125

NMOS管

5、饱和特性

仿真方法:DC仿真 W/L:最小工艺尺寸 Corner:TT

T:55℃ Vds:0v1.2v &0v1.8v &0v~2.5v

Vgs:

0.2v&0.4v&0.6v&0.8v&1.0v&1.2v(1.2v管子);

0.3v&0.6v&0.9v&1.2v&1.5v&1.8v(1.8v管子);

0.0v&0.5v&1.0v&1.5v&2.0v&2.5v(2.5v管子);

NMOS管

6、结束语

本仿真方法可用于拓展比如噪声,频率,本征增益等。

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