离子注入技术发展趋势

电机危险源

与高电压或电流接触会引起电击、烧伤、肌肉和神经损伤、心脏麻痹以及死亡。大约1mA的电流通过心脏就可能致命。统计资料显示接触到250V交流电压的死亡率为3%。当电压超过10kV时，此概率急剧增加。

空气中的火花击穿电压大约为8kV/cm。对于带有250kV的加速电极注入机，击穿距离大约为31cm。然而比较尖锐的部分，其击穿距离可能更长，因此离子注入机需要安全连锁以防止加速电压在注入机的屏蔽保护不完备时升高电压。

因为高压将产生大量的静电电荷，如果没有完全放电，接触时将被电击，所以在进入注入机工作前需要用接地棒将所有的零件放电。

离子注入机是一个完全隔绝的系统，通常大到足以让人可以藏身其内而不引起他人的注意。进入这个系统之前，重要的是要有一个伙伴一起工作并在系统上挂上告示板确保他人知道有人在机器内工作，这样在有人工作时才不会启动设备并升高电压。当进入注入机时，要随身携带钥匙，以防他人将门锁住并启动系统。

辐射危险源

当高能离子束撞击晶圆、狭缝、射束阻挡器或其他任何沿射束线的物品时，离子损失的能量将以X光辐射的形式发射出来。需要安全的连锁以防止系统的墙板和门没有关上，并且在没有完全屏蔽保护好之前启动。

离子与沿射线的中性原子发生碰撞时，产生的电子和从固体表面因二次电子发射产生的电子都被加速电极加速。使用抑制电极防止这些电子被加速到高能量而背向轰击离子源和其他的射线部分，从而可以防止引起X光辐射和零件损坏。

机械危险源

旋转轮与旋转圆盘的转速可以高达1250rpm。全速旋转时，晶圆的速率可以高达90m/s（约220mph）o在发生功能故障的情况下，这些系统将释放出大量的能量并造成大规模损害。持续监视旋转轮或圆盘的振动强度，确保它们在故障发生前就能停止。当旋转电机和扫描电机运行时，任何动作都可能导致切断手指或手臂。

离子注入技术发展趋势

当器件的最小图形尺寸持续缩小时，MOSFET沟道结深和源极/漏极结深将变得越来越浅。超浅结（xj<0.05um，USJ）的形成引起了离子注入技术的一大挑战，特别是P型超浅结,因为P型结需要从低到高的电流且要求能量很低（低到0.2keV）的纯净硼离子束才能形成。USJ的要求条件是低的薄片电阻和低的接触电阻、浅结，以及与金属硅化合物的兼容性，并且要求USG与金属化合物接触时具有低的二极管泄漏电流和对栅极通道分布轮廓的最小影响,还要求与多晶硅，高砂金属栅极的兼容性。其他的条件要求低成本、好的晶圆内均匀性及晶圆对晶圆的均匀性、低的新增粒子数和可靠的晶体管与接触窗。

审核编辑：汤梓红