MOS管导通损耗的计算方法

MOS 管计算导通损耗时，应该用平均电流IAVG还是用电流有效IRMS值呢？

先定义下相关参数，以便于后续的计算．

IO -------------输出电流

IH-AVG-----------上MOS 管平均电流

IL-AVG ---------下MOS 管平均电流

IRMS(H) --------上MOS 管电流有效值

IRMS(L) -----------下MOS 管电流有效值

D ------------------上MOS 管占空比

ΔI --------------电感纹波电流

RON-H ---------上MOS 管导通电阻

RON-L ---------下MOS 管导通电阻

PON-H ---------上MOS 管导通损耗

PON-L ---------下MOS 管导通损耗

计算方法１： 基于平均电流

计算方法２： 基于电流有效值

下面是关于有效值和平均值的对比数据，可以直观的看出有效值比平均值大出很多．

所以两种方法计算出来的导通损耗也会差别很大，那么哪种方式是正确的呢？

MOS 管导通时，等效为一个电阻RDS(ON), 计算损耗时是通过积分来计算的，应该用有效值来计算。

由此可见，I 为有效值的计算公式, 所以计算时应用电流有效值来计算MOS管的导通损耗．

那么什么时候可以用平均电流来计算损耗呢？

其实输出整流二极管，MOS体二极管的导通损耗，则是用均值来计算的．