今天主要是关于:开关模式电源设计改进。
一、PCB耦合
通常工程师在 SMPS布局中都会密切关注2个耦合因素,如下图所示:
电压开关节点,具有高dv/dt
热电流环路,包含子系统中最高的di/dt
显示降压转换器di/dt和dv/dt位置的示意图
这里起作用的机制和风险是将不需要的能量通过电容(dv/dt)和电感(di/dt)耦合到系统的其他部分,或者以辐射和传导发射的形式耦合到系统之外。
二、PCB设计检查
这里检查LM22678 5A转换器的PCB布局,其Uin 为12V,Uout为5V。这是一个非同步降压转换器,使用B130L-13-F肖特基二极管用于其低侧开关元件。
12V 至 5V 异步 LM22678 降压转换器原理图
最大限度地减少电容和电感耦合并不是复杂,但是很容易被忽略,从而导致PCB出问题,进而导致产品被推迟。
下图中,可以看到非同步降压稳压器的TO-263封装的布局,其中标出了电压节点(红色轮廓)和热电流环路(黄色)。
采用低侧功率二极管的非同步降压稳压器设计
为了看得更清楚,PCB上的铜填充已经被隐藏,这个设计存在3个明显问题:
1、高 di/dt 环路远大于其需要的值
2、没有过孔连接 Cin 或 Cout的 GND 节点(被过孔覆盖)
3、交换节点可以更小
上面这个设计说明,电流环路没有得到很好的控制,并且由于平面之间缺乏通孔,电流没有明确定义的返回源路径。
三、对于EMC
改进后的布局如下图所示:
优化了电压节点,更小的热环路以及每个无源组件对第2层参考平面。
此外初级Cout电容也相对于原始设计旋转的了90°,降低了输轨道上的噪声风险。
改进的布局考虑了耦合机制
通过将低侧二极管串联移动到开关引脚和电感之间,可以更好地限制dv/dt 耦合效应产生的潜在串扰噪声。
此外,通过减小热环路几何形状,可以降低高di/dt磁场耦合的影响。
虽然说这些变化很小,但是不需要对额外PCB空间或其他子系统进行该改变。但是通过减少约50%的电流环路和优化节点,增强了系统合规性。
四、主要要点:
了解开关模式电源中电流环路的流动位置
保持节点和环路几何形状较小,以减轻不必要的耦合效应
使 Cin远离或 Cout以帮助隔离电流环路感应场,并防止 dv/dt 串扰
将焊盘连接到过孔,而不仅仅是接地填充铜,以帮助限制返回电流
审核编辑:汤梓红
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !