大大减少体积及损耗！罗姆Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”重磅来袭

　　为进一步满足消费电子和工业设备的电源提出的更高节能要求，以实现社会的可持续发展，罗姆开发出集650V GaN HEMT和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。

　　在第三代半导体领域，碳化硅和氮化镓都是目前比较热门的材料代表。以氮化镓材料应用为例，随着5G和PD适配器的普及，市场需求增加，氮化镓广泛应用于小体积、高性价比的PC、手机等快充应用领域。近年来，市场也对消费电子和工业设备的电源提出了更高的节能要求，以实现社会的可持续发展。

　　为了顺应这一市场需求，罗姆开发出集650V GaN HEMT和栅极驱动用驱动器等于一体的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。该产品可以替代现有的Si MOSFET，从而使器件体积减少99%，功率损耗降低55%，对减少数据服务器等工业设备和AC适配器等消费电子设备的体积及损耗非常有效。

　　7月19日，罗姆“2023年媒体交流会暨产品发布会”上，哔哥哔特商务网了解到，该新产品具有以下三个特点：

　　特点1：支持各种一次侧电源电路。Power Stage IC驱动的范围宽、启动时间短，可应用于各种各样的AC-DC的电路中，并且传输延迟时间也大幅缩短，仅延迟11纳秒到15纳秒，整个环路设计更加简易，可广泛应用于反激式及交错式AC-DC和图腾等。

　　特点2：进一步降低功耗。在导通损耗影响不大的情况下，相比Si MOSFET，Power Stage IC单体大幅度减少55%，相比普通产品，Power Stage IC仍可以做到减少约20%的损耗。

　　特点3：应用产品可进一步小型化。元器件数量上，普通产品是使用9个相关元器件，而Power Stage IC使得驱动方式进一步简化，外置Power Stage IC相关元器件数量只需1个。

　　Power Stage IC将栅极驱动器和GaN HEMT以8×8mm的VQFN一体化封装。这两者将FET性能最大化，GnA决定效率值，组合在一起便可以实现高速开关，更加充分地发挥氮化镓器件的性能。

　

　　栅极驱动器通过内置电压范围接口，使原来驱动电压要求可以达到5V-30V。不影响速度的情况下，Power Stage IC拥有能够控制EMI的技术，以及相应的电源、温度保护等电路构成，可简易地把氮化镓器件替代到现有方案中去，且不需要大幅调整驱动电压，担心噪声影响，大大减少设计工程师的工时。

　　目前，该新产品有两款型号：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，其导通电阻分别是70毫欧和150毫欧。此外，Power Stage IC还备有三款评估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用来评估芯片的整体方案性能，另外两款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客户现有方案进行测试。

　　另外，EcoGaN™是罗姆专门为氮化镓器件申请的商标，其系列器件助力应用产品的效率提升和小型化。我们可以看到，罗姆不仅致力于元器件的开发，进一步提高器件的性能，而且还与业内相关企业积极建立战略合作伙伴关系并推动联合开发，持续为解决社会问题贡献力量。

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审核编辑 黄宇