介绍一种基于ICP-MS的硅材料痕量金属检测方法

随着硅材料在半导体和光电子领域的应用日益广泛，痕量金属元素对材料性能和质量的影响越来越大，高精度的硅材料痕量金属检测方法显得尤为重要。

季丰电子基于ICP-MS的硅材料痕量金属检测方法，具有高分辨率、高灵敏度和元素范围广泛的优势，能够同时检测多种金属元素，检出限达到ppt（parts per trillion）级别，相当于从100万立方米的水中测出1g物质。

季丰电子实验室设备先进，拥有千级洁净度的实验环境，实验员操作经验丰富，实验室体系运转良好。

在样品前，实验室会使用G5级别超纯酸前处理，金属杂质含量低于10ppt以此保证前处理过程不受污染，确保样品分析准确性。

在痕量金属检测方面，季丰电子CA实验室能够提供以下服务：

多晶硅、硅片表金属及体金属

杂质检测  

多晶硅、硅片是半导体制造的重要原材料，其中的金属杂质对半导体器件的性能和稳定性有着重要影响。我们实验室能够对多晶硅、硅片表金属以及体金属杂质进行高灵敏度、高精度的检测，可达到ppt级别的金属杂质含量。

  超纯酸金属杂质检测  

超纯酸是半导体制造中常用的重要化学试剂，其中的金属杂质会直接影响半导体器件的性能。我们实验室能够对超纯酸中的金属杂质进行检测，检测精度达到ppt级别。

  其他半导体相关材料痕量金属检测  

除了多晶硅、硅片和超纯酸，我们实验室还能够对PE袋、手套、特种气体等相关材料中的其他金属杂质进行痕量分析，如钨、铜、铁、镍等，检测精度同样可以达到ppt级别。

审核编辑：刘清