森国科推出第五代Thinned MPS1200V碳化硅二级管

【产品速报】深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。    

碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用；热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高；SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压；禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。

此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：

交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。

维也纳（VIENNA）PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。

IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。

森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。    

名词释义

1、高电子饱和漂移速率：电子饱和漂移速率是指在强电场下，电子在晶格中移动时达到的最大速度，它反映了材料的载流子迁移率。高电子饱和漂移速率意味着更快的开关速度和更高的工作频率，从而提高了半导体的效率和带宽。