美国KRi 离子源光通信应用, 助力5G技术发展

描述

光通信的信息载体是光波, 为了进一步提高光通信系统中光信号的传输质量, 满足光通信系统的使用要求,  上海伯东美国 KRi 离子源通过离子束溅射, 辅助薄膜沉积等工艺在离子束镀膜系统中实现光模块, 光器件等薄膜元件的精密加工. 离子源典型应用例如, 在光纤连接面镀 AR 增透膜 (减反射膜), 达到减少光纤对光的损耗, 增加光的透过率, 减少反射的工艺效果.
 

5G上海伯东美国 KRi 射频离子源




与国产离子源对比, 上海伯东美国 KRi 射频离子源主要特点
无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 单次工艺时间更长, 非常适用于复杂, 精密的多层薄膜制备
提供致密, 光滑, 无针孔, 耐用的薄膜
远离等离子体: 低基材温度, 不需要偏压衬底
溅射任何材料, 不需要射频溅射电源
清洁, 低污染工艺
优良的反应沉积工艺, 沉积原子为坚硬, 耐用的薄膜保留溅射能量
可控制的离子能量, 离子电流密度

KRi 离子源在 IBSD 离子束溅射沉积应用
通常安装两个离子源
主要溅射沉积源和二次预清洁 / 离子辅助源
一次气源为惰性气体, 二次气源为惰性或反应性气体
基板远离溅射目标
工艺压力在小于× 10-4 torr
 

5G上海伯东美国 KRi 离子源 IBSD 溅射应用


 

美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数

型号RFICP 40

RFICP 100

RFICP 140

RFICP 220

RFICP 380

Discharge 阳极RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

RF 射频

离子束流>100 mA

>350 mA

>600 mA

>800 mA

>1500 mA

离子动能100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

100-1200 V

栅极直径4 cm Φ

10 cm Φ

14 cm Φ

20 cm Φ

30 cm Φ

离子束聚焦, 平行, 散射

 

流量3-10 sccm

5-30 sccm

5-30 sccm

10-40 sccm

15-50 sccm

通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

< 0.5m Torr

长度12.7 cm

23.5 cm

24.6 cm

30 cm

39 cm

直径13.5 cm

19.1 cm

24.6 cm

41 cm

59 cm

中和器LFN 2000


上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵真空规高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源霍尔离子源射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分