OLI测试硅光芯片内部裂纹

硅光是以光子和电子为信息载体的硅基电子大规模集成技术，能够突破传统电子芯片的极限性能，是5G通信、大数据、人工智能、物联网等新型产业的基础支撑。准确测量硅光芯片内部链路情况，让硅光芯片设计和生产都变得十分有意义。

 

光纤微裂纹诊断仪（OLI）对硅光芯片耦合质量和内部裂纹损伤检测非常有优势，可精准探测到光链路中每个事件节点，具有灵敏度高、定位精准、稳定性高、简单易用等特点，是硅光芯片检测的不二选择。

 

使用OLI测量硅光芯片内部情况，分别测试正常和内部有裂纹样品，图1为耦合硅光芯片实物图。

图1 耦合硅光芯片实物图

 

 

 

OLI测试结果如图2所示。图2（a）为正常样品，图中第一个峰值为光纤到波导耦合处反射，第二个峰值为连接处到硅光芯片反射，第三个峰为硅光芯片到空气反射；图2（b）为内部有裂纹样品，相较于正常样品在硅光芯片内部多出一个峰值，为内部裂纹表现出的反射。使用OLI能精准测试出硅光芯片内部裂纹反射和位置信息。

（a）正常样品

 （b）内部有裂纹样品

 

 

图2 OLI测试耦合硅光芯片结果

使用OLI测试能快速评估出硅光芯片耦合质量，并精准定位硅光芯片内部裂纹位置及回损信息。OLI以亚毫米级别分辨率探测硅光芯片内部，可广泛用于光器件、光模块损伤检测以及产品批量出货合格判定。