电源PCB设计汇总（下）

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电源PCB设计

VDD_NPU

01

VDD_NPU的覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

02

VDD_NPU的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（7个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。

03

如下图（上）所示，原理图上靠RK3588的VDD_NPU电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，如下图（下）所示。

其余的去耦电容尽量摆放在RK3588芯片附近，并需要摆放在电源分割来源的路径上。

 

04

RK3588芯片VDD_NPU的电源管脚，每个管脚就近有一个对应过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，如下图所示 ，建议走线线宽10mil。

05

VDD_NPU电源在NPU区域线宽不得小于300mil，外围区域宽度不小于500mil。

尽量采用覆铜方式，降低走线带来的压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜）。

06

电源过孔40mil范围（过孔中心到过孔中心间距）内的GND过孔数量，建议≧9个。

电源PCB设计

VDD_CPU_LIT

01

VDD_CPU_LIT覆铜宽度需满足芯片电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

02

VDD_CPU_LIT的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。

03

如下图（上）所示，原理图上靠近RK3588的VDD_CPU_LIT电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，如下图（下）所示。

其余的去耦电容尽量摆放在RK3588芯片附近，并需要摆放在电源分割来源的路径上。

 

04

RK3588芯片VDD_CPU_LIT的电源管脚，每个管脚就近有一个对应过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，如下图建议走线线宽10mil。

05

VDD_CPU_LIT电源在CPU区域线宽不得小于120mil，外围区域宽度不小于300mil。

采用双层电源覆铜方式，降低走线带来压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜）。

06

电源过孔40mil范围（过孔中心到过孔中心间距）内的GND过孔数量，建议≧9个。

电源PCB设计

VDD_VDENC

01

VDD_VDENC覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

02

VDD_VDENC电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。

03

如下图（上）所示，原理图上靠近RK3588的VDD_VDENC电源管脚绿线以内的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，如下图（下）所示。

其余的去耦电容尽量摆放在RK3588芯片附近，并需要摆放在电源分割来源的路径上。

 

04

RK3588芯片VDD_VDENC的电源管脚，每个管脚就近有一个对应过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，如下图建议走线线宽10mil。

05

VDD_VDENC电源在CPU区域线宽不得小于100mil，外围区域宽度不小于300mil，采用双层电源覆铜方式，降低走线带来压降。

06

电源过孔30mil范围（过孔中心到过孔中心间距）内的GND过孔数量，建议≧8个。

电源PCB设计

VCC_DDR

01

VCC_DDR覆铜宽度需满足芯片的电流需求，连接到芯片电源管脚的覆铜足够宽。

路径不能被过孔分割太严重，必须计算有效线宽，确认连接到CPU每个电源PIN脚的路径都足够。

02

VCC_DDR的电源在外围换层时，要尽可能的多打电源过孔（9个以上0.5*0.3mm的过孔），降低换层过孔带来的压降。

去耦电容的GND过孔要跟它的电源过孔数量保持一致，否则会大大降低电容作用。

03

如下图（上）所示，原理图上靠近RK3588的VCC_DDR电源管脚的去耦电容务必放在对应的电源管脚背面，电容的GND PAD尽量靠近芯片中心的GND管脚放置，其余的去耦电容尽量靠近RK3588，如下图（下）所示。

 

04

RK3588芯片VCC_DDR的电源管脚，每个管脚需要对应一个过孔，并且顶层走“井”字形，交叉连接，如下图建议走线线宽10mil。

当LPDDR4x 时，链接方式如下图所示。

05

VCC_DDR电源在CPU区域线宽不得小于120mil，外围区域宽度不小于200mil。

尽量采用覆铜方式，降低走线带来压降（其它信号换层过孔请不要随意放置，必须规则放置，尽量腾出空间走电源，也有利于地层的覆铜）。

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审核编辑 黄宇