模拟技术
IGBT结温是功率电子器件最重要的参数之一,器件在运行中测量此温度是非常困难的。一个方法是通过使用IGBT模块内部的NTC(热敏电阻)近似估计芯片稳定工作状态的温度,此方法不适用与测量快速变化的IGBT温度。
芯片温度可以通过建立一个热模型及测量NTC的温度计算得到,可以通过下式计算温度T2时的NTC电阻值
温度T1=298.15K时的电阻R25的值如下图
根据实际测量的NTC电阻R2的值,温度T2的值可由下式计算
电阻的最大相对偏差由定义在100度下的ΔR/R值来表示。为了避免NTC的自加热,NTC自身的功耗需要被限定。为了限定NTC的自身温升不超过最大允许值1K,通过NTC的电流可以由下式计算。
为了更精确地计算NTC的电阻及温度值,需要不同的B值。B值取决于于所考虑的温度范围。25度到100度为最常见温度范围,因此会使用B25/100的值。在较低的温度范围内,可以使用B25/80或B25/50的值,这样会在较低的温度范围内计算的电阻值更精确。
采用NTC的温度测量方式不适用与短路检测或短时间内过载检测,可以用来当长时间的过载条件下运行或者冷却系统故障时保护模块。
编辑:黄飞
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