NMOS开关驱动电路原理图讲解

NMOS开关驱动电路

注：

Q5：一个NMOS管。

R25/100R 的作用：防止振荡减少栅极充电的峰值电压，保护NMOS管的D-S及不被击穿防止震荡，GPIO口输出端可能有些杂散的电感，在电压突变的情况下，可能会产生LC振荡，当我们加入R25之后，会提高阻尼减少振荡。

减少栅极充电的峰值电压，当栅极的电压拉高，首先对栅极的寄生电容进行充电，I=Q/t。充电的峰值电流可能大于GPIO的输出能力，为了保护IC,添加R25之后，可能有效的增长充电的时间，进而减小充电时候的电流。

从导通到截止状态，VDS电压迅速增加，如果dVDS/dt过大，可能会烧坏器件，R17的存在可以让栅极电容缓慢放电，从而保护mos管。

R26 10K的作用：

下拉型抗干扰电阻，GPIO输出状态下，在Nmos端，可以看出mos端处于一个高阻态或者悬浮的一个状态，为了避免意外打开mos管，加上了个10k下拉。

审核编辑：汤梓红