后摩智能首款RRAM大容量存储芯片完成测试验证

近期，后摩智能完成首款可商用的RRAM测试及应用场景开发，探测及证实了现有工业级的RRAM的技术边界。后续将与车规级应用场景结合，希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式，赋能客户。

目前，后摩智能该款RRAM芯片能够满足在高质量/高安全性要求的商用场景，更新版本可以实现对车规级应用的支持，尤其是车载娱乐系统、部分低等级车规要求，在工业电子类/消费电子类，其功能/性能能满足对eFlash场景的替代，甚至能够改变原有计算架构，对只读/少读场景有较大的革命优势，尤其在亚22nm工艺之后，有望能够进一步成为高端芯片的嵌入式存储器使用。

在功耗性能方面，其整体功耗低至60mW，支持power down模式，支持不同区域分别关断功能，支持sleep模式等，可以进一步在不同应用场景进行功耗控制。

随着RRAM的成功研发及边界测试完成，后摩智能可进一步进行定制化的产品设计以及赋能智能化应用场景，为客户提供先进非易失存储器，尤其是嵌入式的存储器的设计能力，逐步形成以0.5 MB ~ 128 MB范围的嵌入式存储器定制化服务，在此基础上提供不同容量的控制器解决方案、安全防护解决方案、产品定制化解决方案等。

其中三种基础IP的性能简介如下：

关于RRAM：

新兴阻变存储器RRAM具有CMOS兼容特性，其工艺简单，仅需两层额外的MASK就可以实现RAM的性能和能力，并且相比于传统的工作存储器来说，具有快速读写速度、低功耗、高密度、非挥发性等多种优势。

RRAM高密度的优势，在单元面积方面小于现有的静态随机存储器，并且其写入功耗仅为eFLASH的百分之一，能够对未来场景进行赋能，尤其是CMOS 28 nm以下的嵌入式应用场景，其优势进一步扩大，长期以来受到了学术界及工业界的广泛关注。

当前，RRAM已经能够在一些消费端及工业端得到应用，替代或者赋能已有的应用场景包括智能手表、智能耳机、便携设备以及自动驾驶等。

尤其是在高端MCU中，国际巨头已经在先进工艺的MCU中进行先进嵌入式非易失存储器的布局。随着国内外巨头企业技术研发的跟进，先进工艺的RRAM和MRAM的应用落地进一步得到认可。

后摩现有的RRAM及MRAM不仅满足消费、工业的要求，后续将与车规级应用场景结合，进一步将新兴非易失存储器应用到自身的核心业务中，希望与伙伴共同打造新兴存储及新型存算计算范式，赋能客户。

审核编辑：刘清