对话ADI工程师:详析热门型号放大器的应用难题

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本期为大家分享的热门问答帖来自 放大器专区。赶紧来看看,您是否也有相同的疑惑?点击“阅读原文”前往论坛发帖提问获取ADI专家的支持吧~

ADHV4702增大输出电流后出现烧芯片

想把运放 ADHV4702 的输出电流增大到100mA,采用VP2540 和 VN2540 两个 MOS 管,按照 datasheet 上的图设计电路。仿真看不到问题。但是,在实验中,ADHV4702 大概输出电流 50mA 超过1分钟就会烧芯片。已经烧了6pcs了,求帮忙。

亚德诺

   你的R6太大了,改为39k试一试看。另外MOS的栅极需要电阻驱动,MOS同时需要增加过流保护,按照以下的电路修改再调试一下。

亚德诺

 

非常感谢您的建议!我马上安排采购器件做实验。另外,对于上面的电路图,可以改成V-端输入,V+端接地么?

   你是想改成反相放大器结构吧?如果是改成反相放大器结构肯定也是没有问题的。亚德诺亚德诺TOP-1_BoostCurrent_ADHV4702+MOS_PN100V_Tran-Sim.asc (点击“阅读原文”,前往原贴下载  

按照您的电路图,功能仿真不对。是不是我哪个地方弄错了?

亚德诺

   

你的PMOS 方向反了,IRF9640的S极链接R3。另外如果要继续做板的话,建议你在运放的同相端和反相端之间加两个BAV199做保护。你可以把你的具体需求告诉,我可以帮你继续优化一下电路。但我想了解你这个电路应用场景是什么?

 嗯,实际电路中加了BAV199做保护,实际电路就是做一个正负10V正弦输入,输出正负100V驱动2k欧+6.8mH串联的负载,驱动电流最大100mA。    

你的带宽要求多少?

 

1kHZ就可以。另外一个问题,刚才我把R6换成39k. 情况是好了很多,但是,在输出50V以上时,仍然感觉芯片的温度很烫。我想请教一下,芯片烧毁的原理是啥?是因为MOS管的大电流通过R6反馈到芯片输出端?

   ADHV4702自身承载的功率过高所致,MOSFET的栅极需要比输出高出4V以上的阈值电压才能工作,所以R6上的压降会在4V左右,甚至更高。这样你就知道了ADHV4702的输出电流,即 4V/R6, 如果这个电流过高,乘以电源电压与输出电压的压差,基本就知道加载在放大器上的功耗了。

 

高压的供电的放大器都会比较热,这个是不可避免的,静态功耗的电流乘以供电电压就是这个放大器的静态功耗。肯定比一般的放大器要高。

 

最好要加散热器。ADHV4702肚子下面的PAD主要就是用于散热的,应该尽可能的连接更大的铜皮用于散热。

 

如果是1kHz,你可以将C1改为100pF~470pF之间就可以满足你需要的带宽,需要注意的是C1的耐亚最好是实际承载电压的2倍。比如你目前的输出是+/-100V, 这个电容的耐压最好选择200V。  

上述电路在0V输出附近有这么一个奇变,这个应该是MOS管引起的。如果不提高输出电流的话,没有这个现象。麻烦问一下,这个问题该怎么解决?

   我觉得这个可能是你导入错误的SPICE模型导致的问题,你的目标是要输出正弦信号么?从原理上说这个电路通过负反馈实现正弦信号是没有问题的。你可能需要用实际电路测试下来看是否有问题。    另外把原电路中 R10(Rsense)去掉,那个电阻我是用来采样电流的,在你的实际电路中没有意义,这个电路的输出直接挂接你的实际负载即可。

 

目标信号是随机的,是不是MOS管在输出小电流的时候引起的?上升段和下降段都有这个问题。

   是的,因为当电流很小的时候,ADHV4702输出的电流流过39k那个电阻无法产生超过4V的阈值电压,这样MOSFET无法导通,使得在微电流的时候MOSFET处于截至状态。这个电路的问题存在于MOSFET并不是一直处于导通状态。  

但是,ADHV4702本身具有10ma的输出能力,在小电流的时候,MOS是否工作无所谓吧?发现把39k减小就没事,是ADHV4702的驱动能力不够?

仿真结果看,把39k换成10k,失真几乎不可见。麻烦您看看,10k是否不会导致芯片烧毁,在输出100V的时候。

   我觉得这个是跟模型相关,未必是真实的情况,10k电阻原理上是不会导致芯片烧毁的,最终电路参考下图:

亚德诺

阶跃响应的输出信号和R6上的瞬态电流情况参考下图:亚德诺

亚德诺

我觉得你需要最终搭建电路实际测试一下,看最终效果。*温馨提示:提问需要问题清晰,目的明确;涉及到的产品、型号完整;对问题所在时的测试环境等描述清楚、详细,并附上原理图。这样工程师才能准确的帮助到您哦~    寻求技术支持          

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 Tips    

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亚德诺

 

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原文标题:对话ADI工程师:详析热门型号放大器的应用难题

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