ADC框图解析

01 导言和概述

导言和概述

本数据表描述了台积电40nm ULP工艺中的TetraMem ADC IP。它的特点是：

占地面积小，适用于低速和多通道应用

异步架构，不需要外接高速时钟

可根据要求提供带隙

适用于模拟AI计算、温度/模拟传感器、多通道采样等应用

以下是主要规格表:

02 ADC方框图

该IP的主要目标市场是物联网、模拟人工智能或温度传感器的低面积、低功耗和低速应用。以下是IP的框图：

我们设计了一个定制电容DAC（CDAC）阵列，其单位面积是业界最小的，可显著减少IP面积和开关能耗。此外，我们仔细调整性能敏感的电路，如比较器，基准驱动器等，以达到最佳的PPA组合。最后，我们使用了一个专有的带隙，以实现稳定的工作条件下，整个PVT的角落。

03 ADC PIN描述

04 ADC功率性能区

总功率:52uW

VDDA ： 18uA x 0.9=16.2uW

AVDDH ： 19uA x 1.8= 36uW

跨PVT角落的ENOB:7.3位

面积：7.76um x 120um = 931um2

Walden FoM = P /( fs x2 ^ ENOB )= 52u / (10M x 2 ^7.3)= 34FJ/凸步

05 硅表征结果

2023年第三季度上市

06 晶体管/金属使用

核心晶体管：LVT、ULVT

高压晶体管:1.8V晶体管

电容器：定制MOM和铸造PDK MOM

金属化：1P6M

电源:0.9V（铁芯）,1.8V（高压）

审核编辑：汤梓红