优恩半导体-USB3.1- ESD静电放电及插拔脉冲电压防护 II

描述

方案简介:USB 3.1 新标准的面世为这种运用广泛的数据接口带来了重大变化,其中包括更高的数据速率。该标准将以前的 USB 3.0 标准的数据速率提升了一倍(达 10Gbps),并且使用的是相同的数据线,提高数据速率同时也凸显了系统级 ESD 抗打击能力的重要性,因为高速系统的结构较小,对 ESD 更为敏感。我们的系统一方面需要快速传输数据,另一方面也容易受到 ESD 脉冲、插拔尖峰脉冲电压等快速瞬变的影响,普通的防护器件会对数据的传输造成影响。此方案信号部分采用集成高分子材料 ESD 静电防护器件,具有极其低的电容值 0.05pF,在不影响数据传输的前提下满足IEC61000-4-2 Level 4 静电放电防护需求,电源 Vbus 部分使用高压大通流 ESD 器件,满足目前消费类 USB 充电端口的 8/20us 浪涌测试,使后端的电路得到有效的防护同时具有很大的成本优势。

产品图示:

usbESD12V88D-HAusbPESD2510E05V

应用示例:符合要求 : ESD IEC 61000-4-2 Level 4

usb
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