KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

上海伯东代理美国 KRi 考夫曼离子源适用于安装在 MBE 分子束外延, 溅射和蒸发系统, PLD 脉冲激光系统等, 在沉积前用离子轰击表面, 进行预清洁 Pre-clean 的工艺, 对基材表面有机物清洗, 金属氧化物的去除等, 提高沉积薄膜附着力, 纯度, 应力, 工艺效率等！

KRi 离子源预清洁可以实现
去除物理吸附污染: 去除表面污染, 如水, 吸附气体, 碳氢化合物残留
去除化学吸附污染: 去除天然和粘合材料. 如表面氧化物, 通常去除 < 100Å
 

KRi 离子源

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 8寸硅片带铜膜, 通氩气, 60s
污染物清除: 有机物,吸附气体
数据来源: 俄歇电子能谱 Auger spectra, 美国 KRi 原厂资料

 

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用
实验条件: 轻蚀刻, 硅片去除很薄的金属膜, 通氩气
污染物清除: 去除金属薄膜 (w/ Ni/Fe)
数据来源:  美国 KRi 原厂资料

 

KRi 考夫曼离子源表面预清洁 Pre-clean 应用

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利.
 

上海伯东美国 KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRi 考夫曼离子源, 请联络上海伯东叶女士 分机 107

上海伯东版权所有, 翻拷必究！
现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶女士