第二代碳化硅MOSFET B2M040120R在OBC中的应用

描述

车载充电机(On-Board Charger,简称为OBC)的基本功能是:电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口,连接至车载充电机,给车载动力电池进行慢速充电。基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET功率器件具有高频高效的特点,在OBC上使用碳化硅功率器件对于提升OBC的效率和功率密度有较大帮助。

碳化硅MOSFET

OBC车载充电机一般为两级电路,前级为PFC级,即功率因数校正环节,实现电网交流电压变为直流电压,且保证输入交流电流与输入交流电压同相位,根据实际设计功率需求的不同,可采用多级Boost电路并联进行扩容;后级为DC/DC级,实现PFC级输出直流电压变为所需充电电压,实现恒流/恒压充电功能,并保证交流高压侧与直流高压侧的电气绝缘,同样地,根据实际设计功率需求的不同,可采用多级DC/DC电路并联进行扩容。

 

另外,比较常见的DC/DC级电路拓扑有移相全桥和LLC两种。双向OBC在先天上就可以实现比单向设计更高的效率。单向DC/DC模块采用 PFC二极管,而单向LLC谐振转换器可通过二极管桥完成输出整流。单相双向OBC的典型框架—全桥整流器被低损耗基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120R所取代,从而消除整流二极管正向压降造成的损耗。这反过来可以降低功耗,从而简化热管理要求。基本半导体第二代SiC碳化硅MOSFET B2M040120R器件的综合性能可减少所需元件的数量,从而降低电路元件成本以满足支持各种功率器件功能的要求。

碳化硅MOSFET

基本半导体第二代碳化硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上,基本半导体还推出了带有辅助源极的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳化硅MOSFET器件,以更好地满足客户需求。

 

基本半导体第二代碳化硅MOSFET亮点:

更低比导通电阻:第二代碳化硅MOSFET通过综合优化芯片设计方案,比导通电阻降低约40%,产品性能显著提升。

更低器件开关损耗:第二代碳化硅MOSFET器件Qg降低了约60%,开关损耗降低了约30%。反向传输电容Crss降低,提高器件的抗干扰能力,降低器件在串扰行为下误导通的风险。

更高可靠性:第二代碳化硅MOSFET通过更高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠性考核,产品可靠性表现出色。

更高工作结温:第二代碳化硅MOSFET工作结温达到175°C,提高器件高温工作能力。

 

注:如涉及作品版权问题,请联系删除。

打开APP阅读更多精彩内容
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !

×
20
完善资料,
赚取积分