场效应管和可控硅有什么区别？

场效应管和可控硅有什么区别？ 

场效应管和可控硅都是常见的半导体元件，它们在电路应用中广泛用到，但是它们有不同的工作原理和应用场合。在本篇文章中，我们将详细讨论场效应管和可控硅的区别。

1. 工作原理

场效应管（FET）是一种三极管，可以通过改变栅极电压调节源极和漏极之间的电阻。场效应管的原理是利用电场控制载流子浓度，其主要特点是输入电阻大，高频特性好。场效应管可以分为N沟道和P沟道两种结构。

可控硅（SCR）是一种双极性晶体管，也称为晶闸管。它可以在不加门极控制信号的情况下，通过触发电流来控制其导电或断电。可控硅的原理是利用PN结反向击穿时的正反馈作用，使电极之间的导通状态可控。

2. 结构与性能

场效应管的结构一般由源极、漏极和栅极组成。在场效应管中，电路信号通过栅极输入到管子内，控制电子在栅极区域的跨导。场效应管的优点是输入电阻大，高频特性好，但是其缺点是输出功率小。

可控硅的结构一般由阳极、阴极和门极组成。可控硅主要用于交流电路，其深度能够承受很高的电压和电流，但其缺点是仅能在单向电路中使用。

3. 应用场合

场效应管可以应用于低频、高增益的放大器和开关电路，例如音频放大器、变频器、振荡器、调制电路等。场效应管的应用之一是在放大器电路中应用，其大的输出电阻非常适合用作对输入电信号的扰动极度不敏感的缓冲级。

可控硅可以应用于交流电路，例如电源调整、电动机控制等。可控硅的应用之一是在交流电路的电源开关或控制器件中，例如控制电机的启动、停止，亮度调节等。

4. 工作电压

场效应管的工作电压一般为20V到1000V，应用范围较为灵活，但其电流承载能力相对较低。场效应管的电导电阻很小时，电路消耗的能量也少，可以有效地减少功耗，从而提高系统效率。

可控硅的工作电压一般比较高，可以支持数千伏的电压，并且电流承载能力较大。在直流电路中，可控硅可以控制大功率直流电流，但在交流电路中，可控硅仅适用于单向电路中，且控制电流能力受交流电压的影响。

总结：

场效应管和可控硅都是半导体元件，其工作原理、结构和性能特点各有不同。场效应管主要应用于电路中的放大器和开关电路，而可控硅则适用于交流电路的电源开关或控制器件中。需要根据应用场合的需求来选择不同的半导体元件。